[发明专利]半导体芯片的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010180248.2 申请日: 2010-05-14
公开(公告)号: CN101887843A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 市六信广;横田龙平 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 段晓玲;艾尼瓦尔
地址: 日本东京都千*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 芯片 制备 方法
【权利要求书】:

1.半导体芯片的制备方法,该方法包括:

将保护膜形成片材结合到半导体晶片上以使得该保护膜与该半导体晶片的后表面接触,该保护膜形成片材包括在一个表面上的具有可脱模性的基底膜和提供在具有可脱模性的基底膜的表面上的由热固性树脂组合物构成的半导体芯片保护膜,

然后固化该保护膜,和然后

从所得到的固化的保护膜上剥落该基底膜。

2.权利要求1的半导体芯片的制备方法,其中该热固性树脂组合物包括:

(A)100质量份的至少一种选自由苯氧基树脂、聚酰亚胺树脂和(甲基)丙烯酸类树脂的树脂,

(B)5~200质量份的环氧树脂,

(C)10~900质量份的填料,和

(D)有效量的环氧树脂固化催化剂。

3.权利要求1的半导体芯片的制备方法,其中该填料(C)包括10~100质量份的涂覆有聚有机倍半硅氧烷树脂的硅酮橡胶微粒。

4.权利要求1的半导体芯片的制备方法,其中该基底膜的一个表面具有的可脱模性是通过在该基底膜的表面上形成脱模剂的涂层而提供的。

5.权利要求4的半导体芯片的制备方法,其中该脱模剂是硅酮基脱模剂或醇酸基脱模剂。

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