[发明专利]一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。

背景技术

对于应用于有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)的薄膜晶体管(TFT)阵列基板来说，像素电路中的TFT按照功能可以分为用于驱动有机发光器件(OLED)的驱动TFT和起到开关作用的开关TFT两大类，其中驱动TFT因为要给OLED器件提供稳定的电流所以需要有很好的一致性，而开关TFT对一致性要求不高但需要有大的开关电流比，亦即高载流子迁移率。目前在TFT阵列基板方面应用较多的是低温多晶硅(LTPS)技术，该技术通常先在玻璃基板上沉积非晶硅层(a-Si)，然后通过热处理使非晶硅结晶以形成具有较平滑及较大晶粒的多晶硅(p-Si)薄膜，接下来利用多晶硅薄膜来制作TFT阵列。采用LTPS技术尤其是主流的准分子激光退火(ELA)技术获得的多晶硅TFT通常具有迁移率高的特点，但一致性相对较差；在另一方面，采用PECVD等方法制作的微晶硅TFT可以获得很好的一致性，但载流子迁移率通常相对较低。因此，单独采用多晶硅TFT或微晶硅TFT技术很难同时获得具有高载流子迁移率的开关TFT和很好一致性的驱动TFT，无法完全满足AMOLED的应用需求。

发明内容

针对上述问题，本发明的目的是提供一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法。

本发明的目的是通过如下技术方案予以实现的：

本发明提供了一种有源矩阵有机发光显示器，包括一基板；配置于该基板上的多个像素，并呈矩阵排列；平行配置于像素之间的多条数据线；平行配置于像素之间且与数据线垂直的多条扫描线。上述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，上述开关区域内具有开关薄膜晶体管，上述驱动区域内具有驱动薄 膜晶体管，且开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于驱动薄膜晶体管的载流子迁移率。

上述有源矩阵有机发光显示器的制造方法，所述制造方法包括以下步骤：

在基板上采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)的方法设置一微晶硅层，其中包含所述开关区域和所述驱动区域；

利用激光束通过掩模板对开关区域的微晶硅层进行处理，以形成多晶硅层；

在上述开关区域的多晶硅层上制作开关薄膜晶体管，在上述驱动区域的微晶硅层上制作驱动薄膜晶体管。

本发明提供的有源矩阵有机发光显示器，像素内开关区域中的多晶硅开关TFT具有高载流子迁移率，驱动区域中的微晶硅驱动TFT具有良好的一致性，从而可以实现有源矩阵有机发光显示器整体性能的提升。

附图说明

图1为有源矩阵有机发光显示器阵列基板的局部电路结构示意图；

图2为图1中像素12的放大结构示意图；

图3A为本发明形成微晶硅层的示意图；

图3B为本发明形成多晶硅层的示意图；

图4为图3B中所用掩膜板的结构示意图。

附图标记说明如下：

玻璃基板11        像素12

数据线13          扫描线14

开关区域21        驱动区域22

开关薄膜晶体管23  驱动薄膜晶体管24

存储电容25        有机发光器件26

玻璃基板31        缓冲层32

微晶硅层33        多晶硅层34

掩膜板35，41      通孔42

具体实施方式

为让本发明的上述内容更明显易懂，下文特举较佳实施例，并结合附图作详细说明如下。

实施例

图1为有源矩阵有机发光显示器阵列基板的局部电路结构示意图，如图所示，该阵列基板包括玻璃基板11，配置于该基板上的多个像素12，并呈矩阵排列，平行配置于像素之间的多条数据线13，平行配置于像素之间且与数据线垂直的多条扫描线14。图2为图1中像素12的放大结构示意图，如图所示，所述像素12的像素区域内具有一开关区域21和一驱动区域22，所述开关区域21内具有开关薄膜晶体管23，所述驱动区域22内具有驱动薄膜晶体管24，还包括存储电容25和有机发光器件26。所述驱动薄膜晶体管的载流子迁移率约为3cm²/Vs，所述开关薄膜晶体管的载流子迁移率约为80cm²/Vs。