[发明专利]一种有源矩阵有机发光显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，所述有源矩阵有机发光显示器包括：

一基板；

以及配置在该基板上的

多个像素，呈矩阵排列；

多条数据线，平行配置于像素之间；

多条扫描线，平行配置于像素之间且与数据线垂直；

所述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，

所述开关区域内具有开关薄膜晶体管，所述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管，

所述制造方法包括以下步骤：

在所述基板上设置一微晶硅层，其中包含所述开关区域和驱动区域；

将所述开关区域的所述微晶硅层进行再处理，形成多晶硅层；

在所述开关区域的所述多晶硅层上制作开关薄膜晶体管，在所述驱动区域的所述微晶硅层上制作驱动薄膜晶体管。

2.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，采用等离子增强化学气相沉积的方法设置一微晶硅层。

3.如权力要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，采用激光退火的方法将所述开关区域的所述微晶硅层转变为多晶硅层。

4.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，所述多晶硅层上制作的开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于所述微晶硅层上制作的驱动薄膜晶体管的载流子迁移率。

5.如权利要求4所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，其中所述驱动区域的微晶硅层上制作的薄膜晶体管的载流子迁移率约为1-10cm²/Vs。

6.如权利要求4所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，其中所述开关区域的多晶硅层上制作的薄膜晶体管的载流子迁移率约为50-250cm²/Vs。

7.如权利要求1所述的一种有源矩阵有机发光显示器的制造方法，其特征在于，通过掩膜板方式形成多晶硅层。

8.一种有源矩阵有机发光显示器，包括：

一基板；

以及配置在该基板上的

多个像素，呈矩阵排列；

多条数据线，平行配置于像素之间；

多条扫描线，平行配置于像素之间且与数据线垂直；

所述像素的像素区域内具有一开关区域和一驱动区域，

所述开关区域内具有开关薄膜晶体管，所述驱动区域内具有驱动薄膜晶体管，

其特征在于，其中所述开关薄膜晶体管的载流子迁移率大于所述驱动薄膜晶体管的载流子迁移率。

9.如权利要求8所述的一种有源矩阵有机发光显示器，其特征在于，其中所述驱动薄膜晶体管的载流子迁移率约为1-10cm²/Vs。

10.如权利要求8所述的一种有源矩阵有机发光显示器，其特征在于，其中所述开关薄膜晶体管的载流子迁移率约为50-250cm²/Vs。

11.一种移动通信设备，其特征在于，所述移动通讯设备包括如权利要求8所述的主动矩阵有机发光显示器。

12.一种视频播放设备，其特征在于，所述视频播放设备包括如权利要求8所述的主动矩阵有机发光显示器。

13.一种显示设备，其特征在于，所述显示设备包括如权利要求8所述的主动矩阵有机发光显示器。