[发明专利]基板及应用其的半导体封装件与其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种基板及应用其的半导体封装件与其制造方法，且特别是有 关于一种具有可强化强度的支撑结构的基板及应用其的半导体封装件与其制造方 法。

背景技术

传统的基板包括基材、上图案化线路层及下图案化线路层并具有导通贯孔。为 了增加基板的电路铺设范围及增加输出入接点数目，上图案化线路层及下图案化线 路层分别形成于基材的相对二面，且透过导通贯孔彼此电性连接。一芯片可设于基 板上以与基板形成半导体封装件。

然而，传统的基材一整块塑料基板，其厚度较厚、体积较大，使最后形成的半 导体封装件的体积无法有效缩小。并且，于基材上形成导通贯孔也会降低材板的结 构强度。在此情况下，为了维持基板的结构强度，需要选用厚度较厚的基材，如此 将使得传统的半导体封装件的体积无法有效缩小。

发明内容

本发明有关于一种基板及应用其的半导体封装件与其制造方法，基板具有金属 支撑层，可强化基板的结构强度。

根据本发明的第一方面，提出一种基板。基板包括一图案化线路层、一第一介 电保护层、一金属遮蔽层、一金属支撑层及一第二介电保护层。图案化线路层具有 一沟槽及相对的一第一面与一第二面。沟槽从第一面贯穿至第二面。第一面具有数 个第一接点及数个第二接点且该些第一接点邻近于沟槽。第一介电保护层形成于第 一面上并露出第一接点及第二接点。第二介电保护层形成于第二面上并露出沟槽。 金属支撑层埋设于第一介电保护层内并用以强化基板的结构强度。金属遮蔽层夹设 于金属支撑层与图案化线路层之间。

根据本发明的第二方面，提出一种半导体封装件。半导体封装件包括一基板、 一半导体组件、数条焊线、数个焊球及第一封胶。基板包括一图案化线路层、一第 一介电保护层、一金属遮蔽层、一金属支撑层及一第二介电保护层。图案化线路层 具有一沟槽及相对的一第一面与一第二面。沟槽从第一面贯穿至第二面。第一面具 有数个第一接点及数个第二接点且该些第一接点邻近于沟槽。第一介电保护层形成 于第一面上并露出第一接点及第二接点。第二介电保护层形成于第二面上并露出沟 槽。金属支撑层埋设于第一介电保护层内并用以强化基板的结构强度。金属遮蔽层 夹设于金属支撑层与图案化线路层之间。半导体组件设于第二介电保护层上并具有 一主动表面，主动表面从沟槽露出。焊线电性连接主动表面与第一接点。焊球电性 连接于第二接点。第一封胶包覆焊线及第一接点。

根据本发明的第三方面，提出一种基板的制造方法。制造方法包括以下步骤。 提供一载板，该载板具有一第一载板表面；形成一基板结构于第一载板表面；分离 该载板与该第二黏贴膜；以及，移除第二黏贴膜。于形成基板结构于第一载板表面 的该步骤包括以下步骤：将一金属支撑板经由一第一黏贴膜于设置于该载板上；形 成一蚀刻阻障层于金属支撑板上；形成一遮蔽图案于蚀刻阻障层上，遮蔽图案定义 出一沟槽区；形成一图案化线路层于蚀刻阻障层中未被遮蔽图案覆盖的部分上，其 中图案化线路层具有相对的一第一面与一第二面，第一面具有数个第一接点及数个 第二接点，该些第一接点邻近于沟槽区，第一面面向蚀刻阻障层；移除遮蔽图案， 其中图案化线路层对应于沟槽区的部位形成一沟槽；形成一第二介电保护层于沟槽 内并覆盖图案化线路层的第二面；黏贴一第二黏贴膜于第二介电保护层；倒置 (invert)第一黏贴膜、金属支撑板、蚀刻阻障层、图案化线路层及第二介电保护 层及第二黏贴膜并使第二黏贴膜黏贴于载板上；移除第一黏贴膜；移除金属支撑板 的一部分以形成一金属支撑层，金属支撑层露出蚀刻阻障层的一部分；移除蚀刻阻 障层的该部分以形成一金属遮蔽层；形成一第一介电保护层于图案化线路层的第一 面，第一介电保护层并露出第二接点、沟槽及第一接点；及，移除沟槽区内的第二 介电保护层。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式， 作详细说明如下：

附图说明

图1A绘示依照本发明较佳实施例的半导体封装件的剖视图。

图1B绘示图1A的图案化线路层的上视图。

图2A及2B绘示依照本发明较佳实施例的基板的制造方法流程图。

图3A至3S绘示图1的基板的制造示意图。

图4绘示图3S中往方向V1观看到的基板结构的上视图。

主要组件符号说明

100：半导体封装件

102：基板

104：表面处理层