[发明专利]基板及应用其的半导体封装件与其制造方法有效
| 申请号: | 201010177532.4 | 申请日: | 2010-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN101819960A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
| 发明(设计)人: | 李俊哲;黄士辅;李达钧;陈姿慧 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/13;H01L23/14;H01L21/48 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
| 地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 应用 半导体 封装 与其 制造 方法 | ||
1.一种基板,包括:
一图案化线路层,具有一沟槽及相对的一第一面与一第二面,该沟槽从该第一 面贯穿至该第二面,该第一面具有数个第一接点及数个第二接点且该些第一接点邻 近于该沟槽;
一第一介电保护层,形成于该第一面上并露出该些第一接点及该些第二接点;
一第二介电保护层,形成于该第二面上并露出该沟槽;
一金属支撑层,埋设于该第一介电保护层内并用以强化该基板的结构强度;以 及
一金属遮蔽层,夹设于该金属支撑层与该图案化线路层之间。
2.如权利要求1所述的基板,更包括:
一表面处理层,形成于该些第一接点上及该些第二接点上。
3.如权利要求1所述的基板,其中该沟槽位于该图案化线路层的中间位置。
4.如权利要求1所述的基板,其中该金属支撑层围绕该些第一接点及该些第 二接点。
5.如权利要求1所述的基板,其中该第一介电保护层更覆盖该金属支撑层。
6.如权利要求1所述的基板,其中该金属遮蔽层的材质为镍。
7.如权利要求1所述的基板,其中该金属支撑层及该图案化线路层的材质为 铜。
8.一种半导体封装件,包括:
一基板,包括:
一图案化线路层,具有一沟槽及相对的一第一面与一第二面,该沟槽从该 第一面贯穿至该第二面,该第一面具有数个第一接点及数个第二接点,该些第一接 点邻近于该沟槽;
一第一介电保护层,形成于该第一面上并露出该些第二接点及该些第一接 点;
一第二介电保护层,形成于该第二面并露出该沟槽;
一金属支撑层,埋设于该第一介电保护层内,用以强化该基板的结构强度; 及
一金属遮蔽层,夹设于该金属支撑层与该图案化线路层之间;
一半导体组件,设于该第二介电保护层上并具有一主动表面,该主动表面从该 沟槽露出;
数个条焊线,电性连接该主动表面与该些第一接点;
数个焊球,电性连接于该些第二接点;以及
一第一封胶,包覆该些焊线及该些第一接点。
9.一种基板的制造方法,包括:
提供一载板,该载板具有一第一载板表面;以及
形成一基板结构于该第一载板表面,包括以下步骤:
将一金属支撑板经由一第一黏贴膜于设置于该载板上;
形成一蚀刻阻障层于该金属支撑板上;
形成一遮蔽图案于该蚀刻阻障层上,该遮蔽图案定义出一沟槽区;
形成一图案化线路层于该蚀刻阻障层中未被该遮蔽图案覆盖的部分上,其 中该图案化线路层具有相对的一第一面与一第二面,该第一面具有数个第一接点及 数个第二接点,该些第一接点邻近于该沟槽区,该第一面面向该蚀刻阻障层;
移除该遮蔽图案,其中于移除该遮蔽图案后,该图案化线路层对应该沟槽 区的部位形成一沟槽;
形成一第二介电保护层于该沟槽内并覆盖该图案化线路层的该第二面;
黏贴一第二黏贴膜于该第二介电保护层;
倒置该第一黏贴膜、该金属支撑板、该蚀刻阻障层、该图案化线路层及该 第二介电保护层及该第二黏贴膜并使该第二黏贴膜黏贴于该载板上;
移除该第一黏贴膜;
移除该金属支撑板的一部分以形成一金属支撑层,该金属支撑层露出该蚀 刻阻障层的一部份;
移除该蚀刻阻障层的该部分以形成一金属遮蔽层;
形成一第一介电保护层于该图案化线路层的该第一面,该第一介电保护层 并露出该些第二接点、该沟槽及该些第一接点;及
移除该沟槽区内的该第二介电保护层;
分离该载板与该第二黏贴膜;以及
移除该第二黏贴膜。
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