[发明专利]包括ESD器件的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

半导体区域，其通过隔离区域与相邻的半导体区域电隔离；以及

其中ESD器件和配置为用于发射辐射的器件都形成在该半导体区域中。

2.根据权利要求1的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件和至少一个另外的电路元件的串联连接并联连接至该ESD器件。

3.根据权利要求1的集成电路，包括其中至少一个半导体区是ESD器件和配置为用于发射辐射的器件的组成部分，该至少一个半导体区在其表面侧处被电连接。

4.根据权利要求3的集成电路，包括其中该至少一个半导体区是该半导体区域的最外侧的半导体阱。

5.根据权利要求3的集成电路，包括其中该至少一个半导体区嵌入到该半导体区域的另外的半导体区中。

6.根据权利要求2的集成电路，包括其中该至少一个另外的电路元件包括齐纳二极管。

7.根据权利要求1-6任意一项的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件是齐纳二极管，该齐纳二极管的阳极和该ESD器件的击穿pn结的阳极电耦合至相同的电路引脚。

8.根据权利要求1-6任意一项的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件是二极管，该二极管的阳极和该ESD器件的击穿pn结的阳极电耦合至不同的电路引脚。

9.根据权利要求1-6任意一项的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件电耦合至电源引脚。

10.一种集成电路，包括：

第一半导体区域，其通过中间的隔离区域与第二半导体区域电隔离，该第一半导体区域包括ESD器件，该第二半导体区域包括配置为用于发射辐射的器件；以及

其中该ESD器件和该配置为用于发射辐射的器件都电耦合至相同的电路引脚对。

11.根据权利要求10的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件和至少一个另外的电路元件的串联连接并联连接至该ESD器件。

12.根据权利要求11的集成电路，其中该至少一个另外的电路元件包括齐纳二极管。

13.根据权利要求10的集成电路，包括其中该ESD器件的端子和该配置为用于发射辐射的器件的端子通过导线而短路。

14.根据权利要求10-13任意一项的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件是齐纳二极管，该齐纳二极管的阳极和该ESD器件的击穿pn结的阳极连接至相同的电路引脚。

15.根据权利要求10-13任意一项的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件是二极管，该二极管的阳极和该ESD器件的击穿pn结的阳极连接至不同的电路引脚。

16.一种集成电路，包括：

ESD器件，其形成在半导体衬底的半导体区域中，以及

配置为用于发射辐射的器件，设置在该ESD器件之上，该ESD器件和该配置为用于发射辐射的器件经由该半导体衬底的表面区域而光耦合。

17.根据权利要求16的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件形成在该半导体衬底之上的布线区中。

18.根据权利要求17的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件由多晶硅形成。

19.根据权利要求16的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件形成在不同于包括该ESD器件的半导体衬底的半导体衬底中。

20.根据权利要求16-19任意一项的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件和至少一个另外的电路元件的串联连接并联连接至该ESD器件。

21.根据权利要求16-19任意一项的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件是齐纳二极管，该齐纳二极管的阳极和该ESD器件的击穿pn结的阳极电耦合至相同的电路引脚。

22.根据权利要求16-19任意一项的集成电路，包括其中该配置为用于发射辐射的器件是二极管，该二极管的阳极和该ESD器件的击穿pn结的阳极电耦合至不同的电路引脚。