[发明专利]一种曝光设备、掩膜板及曝光方法有效
申请号: | 201010175938.9 | 申请日: | 2010-05-14 |
公开(公告)号: | CN102243444A | 公开(公告)日: | 2011-11-16 |
发明(设计)人: | 郭建;周伟峰;明星;陈永;肖光辉 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/14 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 曝光 设备 掩膜板 方法 | ||
技术领域
本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域,尤其涉及一种曝光设备、掩膜板及曝光方法。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)因其体积小,功耗低、无辐射等特点,在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
TFT-LCD器件是由阵列玻璃基板和彩膜玻璃基板对合而形成的。在阵列基板中相互交叉地配置定义像素区域的栅极线和信号线,在各像素区域中配置像素电极和薄膜晶体管。将驱动信号施加到栅极线上,图像数据通过信号线施加到像素电极。在彩膜基板上配置黑底,使光不能透过除了像素电极以外的区域,在各像素区域配置滤色层,在此基础上在配置公共电极。在阵列基板和彩膜基板中充入液晶,通过上述的加载驱动和信号的像素电极的电压来控制液晶的偏转来控制光线的强弱,配合彩膜基板的功能,在基板上显示出所要表达的图像。
其中,TFT阵列基板上的金属线部分,是先在玻璃基板上涂覆金属层,再在金属层上涂覆光刻胶,然后通过掩膜板对光刻胶层进行曝光、显影、刻蚀、剥离处理后而得。
在实现上述利用掩膜板对光刻胶层进行曝光的过程中,发明人发现现有技术中在对不同光刻胶层进行曝光时,每次都需要根据各层的曝光图形更换对应的掩膜板,由此既增加了制造成本,也降低了生产效率。
发明内容
本发明实施例提供一种曝光方法、掩膜板及曝光设备,能够利用一块掩膜板对两层光刻胶进行曝光,减少了制造成本,提高了生产效率。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种曝光设备,包括:承载基板的载台;在所述载台上方,与所述载台平行地设有掩膜板;所述掩膜板与所述载台之间设有透镜装置;第一照明光源,射出的光线从所述掩膜板的上方垂直射到所述掩膜板的上表面,穿过所述掩膜板,经由所述透镜装置射到所述载台;
在所述掩膜板的下表面上,所述掩膜板的光吸收区域中设有光反射区域;
在所述透镜装置中设有光反射装置;
第二照明光源,射出的光线通过所述透镜装置中的光反射装置被垂直地反射到所述掩膜板的下表面,被所述掩膜板下表面的光反射区域反射,经由所述透镜装置射到所述载台。
一种掩膜板,包括完全透光区域和光吸收区域,在掩膜板面向基板的一侧的光吸收区域中设有光反射区域。
一种曝光方法,包括:
将涂覆有第一光刻胶层的基板置于掩膜板的下方,所述基板与所述掩膜板平行;
开启第一照明光源,光线从所述掩膜板的上方垂直射到所述掩膜板的上表面,穿过所述掩膜板的完全透光区域,经由透镜装置射到所述第一光刻胶层上;
关闭所述第一照明光源;
将涂覆有第二光刻胶层的基板置于所述掩膜板的下方,所述基板与所述掩膜板平行;
开启第二照明光源,射出的光线通过所述透镜装置被垂直地反射到所述掩膜板的下表面,被所述掩膜板下表面的光反射区域反射,再经由所述透镜装置射到所述第二光刻胶层上,其中,在所述掩膜板面向基板的一侧的光吸收区域中设有光反射区域。
本发明提供的曝光设备、掩膜板及曝光方法,进行第一次曝光时,光线从掩膜板的上方垂直射到该掩膜板的上表面,穿过该掩膜板的完全透光区域后,射到下方的待曝光基板上;在进行第二次曝光时,不必更换掩膜板,使光线从该掩膜板下方垂直射到该掩膜板的下表面,由位于该掩膜板下表面的光反射区域反射到下方的待曝光基板上,从而实现利用一块掩膜板对两层光刻胶进行曝光。因此,进行曝光时不必如现有技术每次曝光都更换掩膜板,从而减少了掩膜板的设计、购买、维护费用,减少了制造成本,提高了生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中曝光设备的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的曝光设备的结构示意图;
图3为从掩膜板5的上表面向下看的俯视图;
图4为从掩膜板5的下表面向上看的仰视图;
图5为本发明实施例提供的曝光方法的流程框图。
具体实施方式
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