[发明专利]集成电路结构的形成方法

权利要求书

1.一种形成一集成电路结构的方法，其特征在于，包含：

形成一第一金属层于一基材的一第一隔离层上；

形成一第二图案化隔离层于该基材上，该第二图案化隔离层具有位于该第二图案化隔离层中的一金属镶嵌开口，以暴露出该第一金属层的一部分，该金属镶嵌开口具有形成于该金属镶嵌开口中的一第二隔离层部分；

以一第二金属层来填充该金属镶嵌开口，以将该第二隔离层部分嵌入该第二金属层；以及

形成一钝化层于该第二图案化隔离层和该第二金属层上，其中该钝化层部分地覆盖该第二金属层。

2.根据权利要求1所述的形成一集成电路结构的方法，其特征在于，该第二隔离层的材料选自由未掺杂的硅酸盐玻璃、氮化硅、掺杂硼的硅酸玻璃、掺杂磷的硅酸玻璃、掺杂硼和磷的硅酸玻璃、聚酰亚胺、苯环丁烯、聚对二甲苯、类钻碳、甲基环戊烯酮醇、碳化氟、含甲基的硅酸盐、含氢的硅酸盐、纳米氧化硅、或碳掺杂的二氧化硅及其组合物所组成的一群组。

3.根据权利要求1所述的形成一集成电路结构的方法，其特征在于，该第二隔离层部分具有介于2000埃至15000埃间的一厚度。

4.根据权利要求1所述的形成一集成电路结构的方法，其特征在于，该镶嵌开口具有一双镶嵌结构发一沟渠和一介层窗。

5.根据权利要求1所述的形成一集成电路结构的方法，其特征在于，该第二金属层的材料选自由铜、铜合金、钨铝、与其合金所组成的一群组。

6.根据权利要求1所述的形成一集成电路结构的方法，其特征在于，还包含在形成该钝化层之前，平坦化该第二金属层。

7.根据权利要求1所述的形成一集成电路结构的方法，其特征在于，还包含：

形成一凸块下冶金层于该钝化层上，该凸块下冶金层与该第二金属层接触；以及

形成一焊料凸块于该凸块下冶金层上。

8.根据权利要求6所述的形成一集成电路结构的方法，其特征在于，还包含：

形成一导电层于该钝化层上；以及

附加一接合线至该导电层。

9.一种形成一集成电路结构的方法，其特征在于，包含：

提供一半导体基材，该半导体基材具有形成于一第一隔离层上的一第一金属层；

形成具有一第一镶嵌开口的一第二隔离层，该第一镶嵌开口具有形成于该第一镶嵌开口中的该第二隔离层的一部分；

沉积一光刻胶层来填充该第一镶嵌开口，并图案化该光刻胶层，以形成用以蚀刻一第二镶嵌开口的一蚀刻掩膜；

蚀刻该第二镶嵌开口至该第二隔离层的一部分中，该第二镶嵌开口暴露出该第一金属层的一部分；

形成一第二金属层，以包含填充该第一和第二镶嵌开口，使该第二隔离层部分嵌入该第二金属层中；

平坦化该第二基属层；以及

形成一钝化层于该第二隔离层和该第二金属层上，其中该钝化层部分地覆盖该第二金属层。

10.根据权利要求9所述的形成一集成电路结构的方法，其特征在于，该第二隔离层的材料选自由未掺杂的硅酸盐玻璃、氮化硅、掺杂硼的硅酸玻璃、掺杂磷的硅酸玻璃、掺杂硼和磷的硅酸玻璃、聚酰亚胺、苯环丁烯、聚对二甲苯、类钻碳、甲基环戊烯酮醇、碳化氟、含甲基的硅酸盐、含氢的硅酸盐、纳米氧化硅、或碳掺杂的二氧化硅及其组合物所组成的一群组。