[发明专利]凸块垫结构及其制造方法有效
| 申请号: | 201010173932.8 | 申请日: | 2010-05-07 |
| 公开(公告)号: | CN101882608A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
| 发明(设计)人: | 蔡豪益;陈宪伟;刘豫文;陈英儒;魏修平 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红 |
| 地址: | 中国*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 凸块垫 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种凸块垫结构,其特征在于,包含:
一基材,包含一上层;
一强化垫,位于该上层上;
一中间层,位于该上层的上方;
一中间连接垫,位于该中间层上;
一外层,位于该中间层的上方;以及
一凸块底层金属,经由该外层中的一开口连接至该中间连接垫。
2.根据权利要求1所述的凸块垫结构,其特征在于,该强化垫具有一半径或一外接圆半径大于该凸块底层金属的一半径或一外接圆半径。
3.根据权利要求1所述的凸块垫结构,其特征在于,还包含一介层窗,物理性地耦合该中间连接垫至该强化垫。
4.根据权利要求3所述的凸块垫结构,其特征在于,该介层窗包含一特征,该特征选自于由一实心介层窗、一环状介层窗与一5×5阵列介层窗所组成的一族群。
5.根据权利要求1所述的凸块垫结构,其特征在于,还包含:
一第二强化垫,其中该基材还包含一内层,且其中该第二强化垫位于该内层上;以及
一第二介层窗,物理性耦合该强化垫至该第二强化垫。
6.一种凸块垫结构,其特征在于,包含:
一铜垫,位于一基材的一上层上;
一铝垫,位于一内钝化层上,其中该内钝化层位于该基材的该上层上;
一介层窗,物理性地耦合该铜垫至该铝垫;以及
一凸块底层金属,经由一外钝化层中的一开口,物理性地且电性耦合至该铝垫。
7.根据权利要求6所述的凸块垫结构,其特征在于,该介层窗包含一实心介层窗、一环状介层窗与一阵列介层窗。
8.一种凸块垫结构的制造方法,其特征在于,包含:
形成一强化垫于一基材的一上层上;
形成一中间层于该基材的该上层上;
形成一中间连接垫于该中间层上,且一介层窗经由该中间层而将该中间连接垫耦合至该强化垫;
形成一外层于该基材上;以及
形成一凸块底层金属于该外层的一开口中,以将该凸块底层金属耦合至该中间连接垫。
9.根据权利要求8所述的凸块垫结构的制造方法,其特征在于,形成该强化垫的步骤包含:
图案化位于该基材的该上层上的一光阻层,以暴露出该上层中将设置该强化垫的一区域;
蚀刻该上层暴露出的该区域;以及
沉积一金属于该上层上。
10.根据权利要求8所述的凸块垫结构的制造方法,其特征在于,形成该中间连接垫的步骤包含:
图案化位于该中间层上的一第一光阻层,以暴露出该中间层中将形成该介层窗的一区域;
蚀刻该中间层暴露出的该区域;
沉积一金属层于该中间层上,以形成一金属化层与该介层窗;
图案化位于该金属化层上的一光阻层,借以使该金属化层将被形成该中间连接垫的部分不被暴露出;以及
蚀刻该金属化层的一暴露部分。
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