[发明专利]集成电路及其设计方法无效
| 申请号： | 201010170977.X | 申请日： | 2010-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN102117804A | 公开（公告）日： | 2011-07-06 |
| 发明（设计）人： | 余绍铭;张长昀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 及其 设计 方法 | ||
1.一种集成电路，包括：
至少一核心元件区与至少一密集组件单元；以及
多个半导体鳍片包括：
一核心半导体鳍片，位于所述至少一核心元件区中，其排列根据一设计规则使该核心半导体鳍片具有最低聚集密度；以及
其他半导体鳍片，位于所述至少一密集组件单元中，且其排列不根据该设计规则。
2.如权利要求1所述的集成电路，其中该设计规则中，至少一核心半导体鳍片与另一核心半导体鳍片相邻。
3.如权利要求2所述的集成电路，其中该设计规则中，所述多个核心半导体鳍片平行排列，且两者的脚距小于或等于65微米。
4.如权利要求2所述的集成电路，其中该设计规则中，所述多个核心半导体鳍片平行排列，且两者间距小于或等于所述多个核心半导体鳍片的平均宽度的五倍。
5.如权利要求2所述的集成电路，其中该核心元件区包括逻辑元件，且该密集组件单元包括静态随机存取存储器单元。
6.如权利要求1所述的集成电路，其中该密集组件单元包括静态随机存取存储器单元。
7.如权利要求1所述的集成电路，其中该其他半导体鳍片包括分散的半导体鳍片。
8.如权利要求1所述的集成电路，其中所述多个半导体鳍片的高宽比介于2∶1至6∶1之间。
9.如权利要求1所述的集成电路，还包括至少一晶体管形成于部分所述多个半导体鳍片上。
10.一种集成电路的设计方法，包括：
将一半导体集成电路芯片分为不同的功能区块，所述多个功能区块包括一核心区域及至少一单元区域；
设计该核心区域及该单元区域的半导体鳍片；以及
于核心区域实施一设计规则，使半导体鳍片聚集成组，且每个半导体鳍片组中至少包含三个相邻的半导体鳍片；以及
于该单元区域不实施该设计规则；
其中该单元区域的元件平均密度高于该核心区域的元件平均密度。
11.如权利要求10所述的集成电路的设计方法，还包括设计该核心区域以及该单元区域。
12.如权利要求10所述的集成电路的设计方法，其中该设计规则中，所述多个核心区域的半导体鳍片平行排列，且两者的脚距小于或等于65微米。
13.如权利要求10所述的集成电路的设计方法，其中该设计规则中，所述多个核心区域的半导体鳍片平行排列，且两者间距小于或等于所述多个核心区域的半导体鳍片的平均宽度的五倍；以及
该单元区域的半导体鳍片彼此分开。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
