[发明专利]一种金属-类金刚石(Me-DLC)纳米复合膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010168336.0 申请日: 2010-04-30
公开(公告)号: CN101823353A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 林松盛;代明江;侯惠君;李福球;朱霞高 申请(专利权)人: 广州有色金属研究院
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;C23C14/35;C23C14/02
代理公司: 广东世纪专利事务所 44216 代理人: 千知化
地址: 510651 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 金刚石 me dlc 纳米 复合 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种金属表面涂层及其制备方法,特别涉及一种金属-类金刚石(Me-DLC)纳米复合膜及其制备方法。

背景技术

表面涂层技术在五金外饰件上已经应用了很久,主要以电镀技术为主。但随着社会发展,公众对于环境保护、能源节约的意识逐渐加强,高污染、高能耗电镀行业处于逐步被淘汰的地步,并被具有节能、环保特点的真空离子镀技术为代表的先进表面处理技术逐渐取代。目前在五金外饰件上利用真空离子镀制备的各种装饰功能薄膜,由于膜层较薄(0.2~1.0μm),其耐磨性及耐腐蚀性一般都不好。利用真空离子镀制备的类金刚石膜,具有一系列与金刚石膜相似的优异性能,特别是低的摩擦系数,高的耐磨性,良好的耐腐蚀性和生物相容性以及颜色均匀一致性。

中国专利号ZL 200710028834.3公开了采用离子源结合磁控溅射技术制备金属碳化物/类金刚石纳米多层膜材料,该多层膜材料具有较高的显微硬度、低的摩擦系数、牢靠的附着力等性能。但纳米多层膜是由两种物质交替沉积构成,在非平面样品上,由于不同部位膜层的沉积速率不一,在具体工件的背面沉积速率比正面慢,而DLC层在一定的厚度范围内是呈干涉彩色的,这样造成了金属碳化物/类金刚石纳米多层膜在目标工件上呈外观颜色不一致。

发明内容

本发明的目的在于克服现有表面涂层技术存在的缺点和不足,提供一种Me-DLC纳米复合膜,该膜层材料具有高的显微硬度及耐磨性、低的摩擦系数、良好的膜基结合力及表面均匀一致的颜色等性能,以起到保护外饰件表面抗刮伤、耐腐蚀性和提高生物相容性。

本发明的另一个目的是提供一种Me-DLC纳米复合膜的制备方法。

本发明是通过以下技术方案实现的:所述的Me-DLC纳米复合膜依次由基材1、金属过渡层2、金属氮化物过渡层3、金属碳化物过渡层4和掺金属类金刚石层5构成。

所述的基材1为钢铁、钛合金或硬质合金。

所述的Me-DLC纳米复合膜的制备方法是采用Ti、Cr或W做靶材,在达到本底真空:5.0×10-3Pa,温度:150~350℃,工件架转速:1~5rpm条件下,依次包括以下步骤:

①离子束清洗基材:炉内压强:0.1~1.0Pa,Ar气流量:100~300sccm,离子源:0.5~2.0kW,负偏压:100~800V,时间:40~60min;

②金属过渡层沉积:炉内压强:0.2~0.5Pa,Ar气流量:150~200sccm,非平衡磁控溅射Ti或Cr,靶功率:2.0~10kW,离子源:0.5~1.0kW,负偏压:50~200V,时间:5~15min;

③金属氮化物过渡层沉积:炉内压强:0.3~0.6Pa,Ar气流量:100~200sccm,N2:20~60sccm,非平衡磁控溅射Ti或Cr,靶功率:5.0~10kW,离子源:0.5~1.0kW,负偏压:50~200V,时间:5~15min;

④金属碳化物过渡层沉积:炉内压强:0.3~0.6Pa,Ar气流量:100~200sccm,CH4或C2H2气流量:20~100sccm,非平衡磁控溅射Ti、Cr或W,靶功率:3.0~8.0kW,离子源:0.5~1.0kW,负偏压:50~200V,时间:5~15min;

⑤掺金属类金刚石层沉积:炉内压强:0.3~0.55Pa,Ar气流量:120~200sccm,CH4或C2H2气流量:160~250sccm,离子源:2.5~3.5kW,非平衡磁控溅射Ti、Cr或W,靶功率:0.5~1.0kW,负偏压:20~100V,时间:60~120min。

本发明所述的金属层过渡层为Ti或Cr。沉积金属层Ti或Cr是因为适当的金属层和钢铁、钛合金或硬质合金等材料的粘附性好,该层的厚度为100~200nm。

本发明所述的金属氮化物层TiN或CrN(1500-2500Hv)和金属碳化物层TiC、CrC或WC(Hv2000-3000),是为了在基材和Me-DLC纳米复合膜之间建立硬度热膨胀系数梯度过渡,降低膜层内应力,提高膜/基结合力及膜层的韧性,该层的厚度分别为100~200nm。

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