[发明专利]一种垂直结构发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直结构发光二极管制造方法，包括：

(1)、在蓝宝石衬底上形成发光外延结构；

(2)、在发光外延结构上形成电流扩散层；

(3)、在电流扩散层上形成第一导电电极；

(4)、将做好第一导电电极的发光外延结构形成在另一导电衬底上，构成倒装结构，保证蓝宝石衬底朝上；

其特征在于：该方法还包括：

(5)、将蓝宝石衬底减薄至指定厚度及指定粗糙度；

(6)、对上述减薄后的蓝宝石衬底进行光刻处理，得到电极结构图案，并将带电极结构图案的蓝宝石衬底剥离，露出部分发光外延结构；

(7)、在露出的发光外延结构上形成第二导电电极。

2.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管制造方法，其特征在于：步骤(5)将蓝宝石衬底减薄的方法包括：

a1、用研磨的方法将蓝宝石衬底减薄至30～50um；

a2、再通过抛光的方法减薄至2～10um，粗糙度为10～100nm。

3.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管制造方法，其特征在于：步骤(5)将蓝宝石衬底减薄的方法包括：

b1、用抛光的方法将蓝宝石衬底减薄至2～10um，粗糙度为10～100nm。

4.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管制造方法，其特征在于：步骤(5)将蓝宝石衬底减薄的方法包括：

c1、用研磨的方法将蓝宝石衬底减薄至5～15um，粗糙度为50～500nm。

5.如权利要求1所述的垂直结构发光二极管制造方法，其特征在于：该方法还包括：

在第二导电电极上形成钝化层。

6.一种垂直结构发光二极管，其特征在于：包括：

导电衬底；

第一导电电极，位于所述导电衬底上；

电流扩散层，位于所述第一导电电极上；

发光外延结构，位于所述电流扩散层上；

蓝宝石衬底，位于所述发光外延结构上，所述蓝宝石衬底出光侧表面为粗糙面，厚度为2～15um，粗糙度为10～500nm；

至少一个第二导电电极，位于所述蓝宝石衬底侧并穿过蓝宝石衬底与所述发光外延结构连接。

7.如权利要求6所述的垂直结构发光二极管，其特征在于：所述发光外延结构包括：

第一电性半导体，位于所述电流扩散层上；

发光层，位于所述第一电性半导体上；

第二电性半导体，位于所述发光层上；

缓冲层，位于所述第二电性半导体上，所述缓冲层与蓝宝石衬底相连；

所述第二导电电极穿过所述缓冲层与第二电性半导体相连。

8.如权利要求6所述的垂直结构发光二极管，其特征在于：所述第二导电电极具有两个电极，两第二导电电极位于蓝宝石衬底出光侧两端。

9.如权利要求6所述的垂直结构发光二极管，其特征在于：所述第二导电电极与第一导电电极极性相反。

10.如权利要求6所述的垂直结构发光二极管，其特征在于：所述第二导电电极上设有钝化层。