[发明专利]发光二极管封装及其制作方法有效
申请号: | 201010165571.2 | 申请日: | 2010-04-16 |
公开(公告)号: | CN102136431A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 倪君耀;蔡志嘉;邹文杰 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/78;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/13 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 任永武 |
地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 及其 制作方法 | ||
技术领域
本发明是关于一种发光二极管封装及其制作方法,尤指一种将发光二极管设置于基板的凹槽内的发光二极管封装及其制作方法。
背景技术
发光二极管(light emitting diode,LED)元件,由于具有寿命长、体积小与耗电量低等优点,已逐渐取代传统荧光灯管或钨丝灯泡,而广泛地应用在照明、液晶显示器的背光模块、各式电子产品与交通号志等方面。
以封装型式而言,目前发光二极管的封装结构主要以表面黏着型(surfacemount device,SMD)发光二极管封装结构为主流。然而,由于现有的表面黏着型发光二极管封装结构所使用的基板为平面基板,而发光二极管是设置于平面基板的平坦表面,因此导致现有的发光二极管封装的厚度较厚,而不符合目前对于电子元件轻、薄、短、小的需求。
发明内容
本发明的目的之一在于提供一种发光二极管封装及其制作方法,以缩减发光二极管封装的整体厚度。
本发明的一方面提供一种一种发光二极管封装的制作方法,包括下列步骤。提供一基板,该基板包括一绝缘基材及设置于该绝缘基材上的一上导电层及一下导电层,该基板上包括有多个元件区。图案化各该元件区中的该上导电层及该下导电层,以形成电性分离的一第一导线区及一第二导线区,并于各该第一导线区的该上导电层内分别形成一开口,其中这些开口部分暴露出该绝缘基材。去除位于各该第一导线区中暴露的该绝缘基材而形成一凹槽。电性连接该各该第一导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层以形成一第一导线。电性连接该各该第二导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层以形成一第二导线。将多个发光二极管分别设置于各该凹槽内,并使各该发光二极管的一第一电极与各该第一导线电性连接,以及使各该发光二极管的一第二电极与各该第二导线电性连接。在该基板上形成一封胶层封装这些发光二极管。切割该基板,而形成多个发光二极管封装。
依据上述,在一实施例中,其中各该凹槽暴露出各该第一导线区中的部分该下导电层。
依据上述,在另一实施例中,其中形成该第一导线的步骤包括在各该凹槽中形成一上导电图案,该上导电图案电性连接该各该第一导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层。
依据上述,在另一实施例中,其中该上导电图案位于各该发光二极管与该下导电层之间。
依据上述,在另一实施例中,其中该上导电图案与该凹槽是以共形方式形成。
依据上述,在另一实施例中,其中形成该第二导线的步骤包括去除位于各该第二导线区中暴露的该绝缘基材而形成一通孔并暴露出各该第二导线区中的部分该上导电层,以及在各该通孔中形成一下导电图案,该下导电图案电性连接该各该第二导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层。
依据上述,在另一实施例中,其中这些通孔是利用激光钻孔方式形成。
依据上述,在另一实施例中,其中各该通孔是分别位于各该第二导线区的一边缘的一中央区。
依据上述,在另一实施例中,其中图案化各该元件区中的该上导电层及该下导电层的步骤是利用蚀刻方式进行。
依据上述,在另一实施例中,其中这些凹槽是利用激光钻孔方式形成。
依据上述,在另一实施例中,还包括于位于各该第二导线区的该上导电层的表面形成一识别标记。
依据上述,在另一实施例中,还包括于位于各该第二导线区的该上导电层的表面形成一识别标记,其中该识别标记位于该通孔的上方。
依据上述,在另一实施例中,还包括于各该元件区中形成一下防焊绝缘层,部分覆盖该第一导线的一下表面。
依据上述,在另一实施例中,还包括进行下列步骤。去除各该元件区的四个角落区的该下导电层、该绝缘基材与该上导电层,以于各该元件区的四个角落区分别形成一通孔。于各该元件区的四个角落区的该上导电层上分别形成一上防焊绝缘层,并使各该上防焊绝缘层覆盖相对应的该通孔。于各该通孔的一侧壁上形成一导电图案,分别电性连接对应于各该通孔旁的该上导电层与该下导电层,以于各该第一导线区形成一第一导线,以及于各该第二导线区形成一第二导线。
依据上述,在另一实施例中,其中各该导电图案另覆盖各该凹槽的侧壁以及各该凹槽所暴露出的该下导电层。
依据上述,在另一实施例中,其中这些导电图案与这些凹槽是以共形方式形成。
依据上述,在另一实施例中,其中这些通孔是利用机械钻孔方式形成。
依据上述,在另一实施例中,其中该导电图案是利用电镀方式形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造