[发明专利]发光二极管封装及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201010165571.2 申请日: 2010-04-16
公开(公告)号: CN102136431A 公开(公告)日: 2011-07-27
发明(设计)人: 倪君耀;蔡志嘉;邹文杰 申请(专利权)人: 亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/78;H01L33/48;H01L33/62;H01L25/13
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 任永武
地址: 中国台湾台北县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装的制作方法,包括:

提供一基板,该基板包括一绝缘基材及设置于该绝缘基材上的一上导电层及一下导电层,该基板上包括有多个元件区;

图案化各该元件区中的该上导电层及该下导电层,以形成电性分离的一第一导线区及一第二导线区,并于各该第一导线区的该上导电层内分别形成一开口,其中这些开口部分暴露出该绝缘基材;

去除位于各该第一导线区中暴露的该绝缘基材而形成一凹槽;

电性连接各该第一导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层以形成一第一导线;

电性连接各该第二导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层以形成一第二导线;

将多个发光二极管分别设置于各该凹槽内,并使各该发光二极管的一第一电极与各该第一导线电性连接,以及使各该发光二极管的一第二电极与各该第二导线电性连接;

在该基板上形成一封胶层封装这些发光二极管;以及

切割该基板,而形成多个发光二极管封装。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,各该凹槽暴露出各该第一导线区中的部分该下导电层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,形成该第一导线的步骤包括在各该凹槽中形成一上导电图案,该上导电图案电性连接该各该第一导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,该上导电图案位于各该发光二极管与该下导电层之间。

5.根据权利要求3所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,该上导电图案与该凹槽是以共形方式形成。

6.根据权利要求1所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,形成该第二导线的步骤包括:

去除位于各该第二导线区中暴露的该绝缘基材而形成一通孔并暴露出各该第二导线区中的部分该上导电层;以及

在各该通孔中形成一下导电图案,该下导电图案电性连接该各该第二导线区的该图案化上导电层及该图案化下导电层。

7.根据权利要求6所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,各该通孔分别位于各该第二导线区的一边缘的一中央区。

8.根据权利要求1所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,还包括于位于各该第二导线区的该上导电层的表面形成一识别标记。

9.根据权利要求6所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,还包括于位于各该第二导线区的该上导电层的表面形成一识别标记,其中该识别标记位于该通孔的上方。

10.根据权利要求1所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,还包括于各该元件区中形成一下防焊绝缘层,部分覆盖该第一导线的一下表面。

11.根据权利要求1所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,还包括:

去除各该元件区的四个角落区的该下导电层、该绝缘基材与该上导电层,以于各该元件区的四个角落区分别形成一通孔;

于各该元件区的四个角落区的该上导电层上分别形成一上防焊绝缘层,并使各该上防焊绝缘层覆盖相对应的该通孔;以及

于各该通孔的一侧壁上形成一导电图案,分别电性连接对应于各该通孔旁的该上导电层与该下导电层,以于各该第一导线区形成一第一导线,以及于各该第二导线区形成一第二导线。

12.根据权利要求11所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,各该导电图案另覆盖各该凹槽的侧壁以及各该凹槽所暴露出的该下导电层。

13.根据权利要求12所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,这些导电图案与这些凹槽是以共形方式形成。

14.根据权利要求1所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,该第一电极与该第二电极位于该发光二极管的同一侧,该第一电极与该第二电极分别通过焊线与该第一导线以及该第二导线电性连接。

15.根据权利要求1所述的发光二极管封装的制作方法,其特征在于,该第一电极与该第二电极位于该发光二极管的不同一侧,该第一电极直接与该凹槽内的该第一导线电性连接,该第二电极通过一焊线与该第二导线电性连接。

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