[发明专利]抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010164464.8 | 申请日： | 2010-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101859781A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 刘文;郝志华;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 剂量 辐照 soi 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种抗总剂量辐照的SOI器件，该SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，其特征在于，所述埋氧层和衬底层之间还包括牺牲层，所述牺牲层在SOI器件经总剂量辐照后产生负电荷。
2.如权利要求1所述的抗总剂量辐照的SOI器件，其特征在于，所述牺牲层的厚度在10nm到20nm的范围内。
3.如权利要求1所述的抗总剂量辐照的SOI器件，其特征在于，所述埋氧层的厚度在70nm到80nm的范围内。
4.如权利要求1所述的抗总剂量辐照的SOI器件，其特征在于，所述牺牲层的材料为氮化硅。
5.如权利要求1-4任意一项所述的抗总剂量辐照的SOI器件，其特征在于，所述衬底层的材料为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。
6.一种抗总剂量辐照的SOI器件的制造方法，包括下列步骤：
a)在硅片上形成SiO2埋氧层；
b)在SiO2埋氧层上形成氮化硅牺牲层；
c)在氮化硅牺牲层上形成P型硅衬底层。
7.如权利要求6所述的抗总剂量辐照的SOI器件的制造方法，其特征在于，SiO2埋氧层的厚度在70nm到80nm的范围内。
8.如权利要求6所述的抗总剂量辐照的SOI器件的制造方法，其特征在于，氮化硅牺牲层的厚度在10nm到20nm的范围内。
9.如权利要求6所述的抗总剂量辐照的SOI器件的制造方法，其特征在于，步骤a)通过热氧化生长方法生长SiO2埋氧层，热氧化生长温度为1050℃。
10.如权利要求6所述的抗总剂量辐照的SOI器件的制造方法，其特征在于，分别在步骤a)、b)和c)之后对形成的层进行表面处理，所述表面处理包括化学机械抛光处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
