[发明专利]一种表面自清洁性聚合物多孔膜的制备方法

权利要求书

1.一种表面自清洁性聚合物多孔膜的制备方法，其特征是步骤如下：首先在聚合物多孔膜表 面接枝上温敏性的聚(N-异丙基丙烯酰胺)即PNIPAAm，然后在PNIPAAm分子链上接枝上亲 水性的聚乙二醇侧链；具体步骤为：

A)在隔绝氧气的条件下，将经过表面引发产生自由基的聚合物多孔膜浸入到含有重量百 分浓度为5～10％的N-异丙基丙烯酰胺和0.025～0.05％的丙烯酰胺的水溶液中，进行表面接 枝聚合20～24小时；

B)将进行过表面接枝的聚合多孔膜浸入到异氰酸酯封端的聚乙二醇单甲醚即NCO-MPEG 中，在80～90℃下反应15～20小时，在多孔膜表面的PNIPAAm接枝链上连接亲水的聚乙二 醇侧链，得到表面自清洁性聚合物多孔膜。

2.根据权利要求1所述的表面自清洁性聚合物多孔膜的制备方法，其特征在于所述的聚乙二 醇侧链为分子量500～4000的聚乙二醇单甲醚。

3.根据权利要求1所述的一种表面自清洁性聚合物多孔膜的制备方法，其特征在于所述的表 面引发产生自由基的聚合物多孔膜的方法为等离子体处理方法。

4.根据权利要求3所述的表面自清洁性聚合物多孔膜的制备方法，其特征在于所述的等离子 体处理方法如下：将聚合物多孔膜置入等离子体反应腔体中，在压力为5Pa的Ar气氛下，以 等离子体处理功率1～5W、处理时间20～30分钟的条件，在聚合物多孔膜表面引发产生自由 基。

5.根据权利要求1所述的表面自清洁性聚合物多孔膜的制备方法，其特征在于所述的 NCO-MPEG的制备方法如下：将MPEG滴加到等摩尔的甲苯二异氰酸酯中，在60～70℃并在催 化剂存在下反应6～10小时，得到NCO-MPEG。

6.根据权利要求5所述的表面自清洁性聚合物多孔膜的制备方法，其特征在于所述的催化剂 为辛酸亚锡、二丁基锡二月桂酸酯或环烷酸钴。

7.根据权利要求1所述的表面自清洁性聚合物多孔膜的制备方法，其特征在于所述的聚合物 多孔膜为聚偏氟乙烯多孔膜、聚丙烯多孔膜或聚乙烯多孔膜。

8.根据权利要求7所述的表面自清洁性聚合物多孔膜的制备方法，其特征在于所述的聚合物 多孔膜的类型为平板膜、中空纤维膜或管式膜。