[发明专利]固体摄像器件和摄像装置

说明书

相关申请的交叉参考

本申请包含与2009年5月11日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2009-114804相关的主题，在此将该日本专利申请的全部内容以引用的方式并入本文作为参考。

技术领域

本发明涉及一种具有诸如电荷耦合器件(charge coupled device，CCD)等电荷传输部的固体摄像器件以及包括该固体摄像器件的摄像装置。

背景技术

在已知的CCD固体摄像器件中，各水平传输电极延伸到水平CCD寄存器的沟道区域的外部，并在沟道区域的外部通过接触部与总线连接。

通常，总线由诸如铝等金属形成。

此外，在新近的CCD固体摄像器件中，提出了一种水平传输电极由单层的多晶硅层形成的结构。

图10示出了CCD固体摄像器件的水平传输寄存器附近的放大平面图，其中水平传输电极由单层的多晶硅层形成。此外，图11是沿图10的线X-X′的剖面图。

如图10和图11所示，水平传输寄存器63形成在半导体基板61的除元件分隔层62之外的那部分的表面附近。由多晶硅制成的水平传输电极65隔着栅绝缘层64形成在半导体基板61上。第一相位的水平传输脉冲和第二相位的水平传输脉冲被交替施加到水平传输电极65上。

在图10中，用于提供第二相位的水平传输脉冲的总线68被布置在比水平传输寄存器63低的部分中，并且用于提供第一相位的水平传输脉冲的总线67被布置在比总线68低的部分中。总线67和68通过接触部66与水平传输电极65电连接。

在水平传输寄存器63上方形成有用于覆盖水平传输电极65的遮光层69。

在图10和图11所示的CCD固体摄像器件的结构中，必须在水平传输寄存器63的外部设置仅用于在水平传输电极65与总线67和68之间建立连接的区域。其缺点在于会使芯片面积增加。

此外，由于水平传输电极65延伸到仅用于连接的区域，因此在各水平传输电极65之间或者在水平传输电极65与遮光层69之间的负载电容增加。结果，从在水平传输寄存器63上的那部分的水平传输电极65到总线67和68的电阻增加。

在这种情况下，由于水平传输驱动脉冲的速度下降，因此提高水平电荷传输的速度或降低能耗变得困难，这可能会导致水平传输劣化。

作为解决这些问题的技术，存在一种在水平CCD寄存器上进行水平传输电极与总线之间的连接的技术(参见日本专利No.2606001或JP-B-7-87244)。

这是在水平CCD寄存器的沟道，即活性区域上使由金属形成的总线和由多晶硅形成的水平传输电极连接的技术。

然而，在这样的技术中，由于在金属和多晶硅的功函数之间存在较大的差，因此会出现电位偏移(参见Kazuya Yonemoto，Hideshi Abe所著的“Two-million pixel FIT-CCD image sensor for HDVT(用于HDVT的200万像素FIT-CCD图像传感器)”，The Institute ofElectronic and InformationEngineers of Japan(日本电子信息工程学会)，VLD90-22，ICD90-58”，1990年6月)。

电位偏移的出现也会导致水平传输劣化，这是不利的。

为此，必须连接水平传输电极与总线以使电位偏移不再出现。

发明内容

因此，鉴于上述原因，期望提供一种能够减小芯片尺寸并能良好地进行信号电荷传输的固体摄像器件以及包括该固体摄像器件的摄像装置。

本发明的实施例的固体摄像器件包括：光接收部，它用于进行光电转换；传输寄存器，它被形成在半导体基体中；传输电极，它在所述传输寄存器上由半导体层形成。此外，所述固体摄像器件还包括电荷传输部，它由所述传输寄存器和所述传输电极形成，并且用于传输在所述光接收部中累积的信号电荷；总线，它由金属层形成，并且为了向所述传输电极提供驱动脉冲而与所述传输电极在所述传输寄存器上的部分电连接。另外，所述固体摄像器件还包括阻挡金属层，所述阻挡金属层在使所述传输电极和所述总线连接的接触部中被形成在所述传输电极与所述总线之间的界面附近，并且所述阻挡金属层的功函数的大小在所述传输电极的所述半导体层的功函数与所述总线的所述金属层的功函数之间。