[发明专利]固体摄像器件和摄像装置无效

专利信息
申请号: 201010161790.3 申请日: 2010-05-04
公开(公告)号: CN101887902A 公开(公告)日: 2010-11-17
发明(设计)人: 才保文伸 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L27/148 分类号: H01L27/148;H04N5/335;H04N5/225
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 冯丽欣;武玉琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固体 摄像 器件 装置
【权利要求书】:

1.一种固体摄像器件,其包括:

光接收部,它用于进行光电转换;

传输寄存器,它被形成在半导体基体中;

传输电极,它在所述传输寄存器上由半导体层形成;

电荷传输部,它由所述传输寄存器和所述传输电极形成,并且用于传输在所述光接收部中累积的信号电荷;

总线,它由金属层形成,并且为了向所述传输电极提供驱动脉冲而与所述传输电极在所述传输寄存器上的部分电连接;以及

阻挡金属层,它在使所述传输电极和所述总线连接的接触部中被形成在所述传输电极与所述总线之间的界面附近,并且所述阻挡金属层的功函数的大小在所述传输电极的所述半导体层的功函数与所述总线的所述金属层的功函数之间。

2.根据权利要求1所述的固体摄像器件,

其中,多个所述光接收部以矩阵形式布置,

所述固体摄像器件包括为每列所述光接收部设置的垂直传输部和与所述垂直传输部的一端连接的水平传输部,并且

所述电荷传输部是所述水平传输部,且所述传输电极是水平传输电极。

3.根据权利要求1所述的固体摄像器件,

其中,所述总线还用作覆盖所述传输寄存器的遮光层。

4.根据权利要求1所述的固体摄像器件,

其中,所述半导体基体由硅形成,并且所述传输电极由多晶硅层形成。

5.根据权利要求1所述的固体摄像器件,

其中,所述阻挡金属层由材料TiN、TiW、WN或TaN形成。

6.一种摄像装置,其包括:

集光光学部,它用于聚集入射光;

固体摄像器件,它用于接收聚集在所述集光光学部中的所述入射光并进行光电转换;和

信号处理器,它用于对通过所述固体摄像器件中的光电转换获得的信号进行处理,

其中,所述固体摄像器件包括:

光接收部,它用于进行光电转换;

传输寄存器,它被形成在半导体基体中;

传输电极,它在所述传输寄存器上由半导体层形成;

电荷传输部,它由所述传输寄存器和所述传输电极形成,并且用于传输在所述光接收部中累积的信号电荷;

总线,它由金属层形成,并且为了向所述传输电极提供驱动脉冲而与所述传输电极在所述传输寄存器上的部分电连接;以及

阻挡金属层,它在使所述传输电极和所述总线连接的接触部中被形成在所述传输电极与所述总线之间的界面附近,并且所述阻挡金属层的功函数的大小在所述传输电极的所述半导体层的功函数与所述总线的所述金属层的功函数之间。

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