[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

说明书

技术领域

所公开的发明的技术领域涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

金属氧化物的种类繁多且用途广泛。氧化铟为较普遍的材料，其被用作液晶显示器等所需要的透明电极材料。

在金属氧化物中存在呈现半导体特性的金属氧化物。作为呈现半导体特性的金属氧化物，例如有氧化钨、氧化锡、氧化铟、氧化锌等，并且将这些呈现半导体特性的金属氧化物用作沟道形成区的薄膜晶体管已经是众所周知的(例如，参照专利文献1至4、非专利文献1)。

另外，已知金属氧化物不仅有一元金属氧化物(一元氧化物)还有多元金属氧化物(多元氧化物)。例如，作为包含In、Ga及Zn的多元氧化物半导体，包含同系物(homologous series)的InGaO₃(ZnO)_m(m：自然数)是周知的(例如，参照非专利文献2至4)。

并且，已经确认到可以将上述那样的由In-Ga-Zn类氧化物构成的氧化物半导体用于薄膜晶体管的沟道层(例如，参照专利文献5、非专利文献5以及6)。

[专利文件1]日本专利申请公开昭60-198861号公报

[专利文件2]日本专利申请公开平8-264794号公报

[专利文件3]日本PCT国际申请翻译平11-505377号公报

[专利文件4]日本专利申请公开2000-150900号公报

[专利文件5]日本专利申请公开2004-103957号公报

[非专利文献1]M.W.Prins，K.O.Grosse-Holz，G.Muller，J.F.M.Cillessen，J.B.Giesbers，R.P.Weening，and R.M.Wolf，″A ferroelectric transparent thin-film transistor″(透明铁电薄膜晶体管)，Appl.Phys.Lett.，17 June 1996，Vol.68 p.3650-3652

[非专利文献2]M.Nakamura，N.Kimizuka，and T.Mohri，″ThePhase Relations in the In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO System at 1350 ℃″(In₂O₃-Ga₂ZnO₄-ZnO类在1350℃时的相位关系)，J.Solid State Chem.，1991，Vol.93，p.298-315

[非专利文献3]N.Kimizuka，M.Isobe，and M.Nakamura，″Syntheses and Single-Crystal Data of Homologous Compounds，In₂O₃(ZnO)_m(m＝3，4，and 5)，InGaO₃(ZnO)₃，and Ga₂O₃(ZnO)_m(m＝7，8，9，and 16)in the In₂O₃-ZnGa₂O₄-ZnO System″(同系物的合成和单晶数据，In₂O₃-ZnGa₂O₄-ZnO类的In₂O₃(ZnO)_m(m＝3，4，and 5)，InGaO₃(ZnO)₃，and Ga₂O₃(ZnO)_m(m＝7，8，9，and 16))，J.Solid State Chem.，1995，Vol.116，p.170-178