[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201010161138.1 | 申请日： | 2010-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN101859710A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 乡户宏充;井上卓之 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L29/24;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
衬底上的第一栅电极及第二栅电极；
覆盖所述第一栅电极及所述第二栅电极的栅极绝缘层；
设置在所述栅极绝缘层上并与所述第一栅电极重叠的第一氧化物半导体层；
设置在所述第一氧化物半导体层上并与该第一氧化物半导体层电连接的第一源电极或漏电极，所述第一源电极或漏电极包括包含第一材料的第一导电层和所述第一导电层上的包含第二材料的第二导电层；
设置在所述栅极绝缘层上的第二源电极或漏电极，所述第二源电极或漏电极包括包含所述第一材料的第三导电层和所述第三导电层上的包含所述第二材料的第四导电层；以及
设置在所述第二源电极或漏电极上并与该第二源电极或漏电极电连接的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层与所述第二栅电极重叠。
2.一种半导体装置，包括：
衬底上的第一栅电极及第二栅电极；
覆盖所述第一栅电极及所述第二栅电极的栅极绝缘层；
设置在所述栅极绝缘层上并与所述第一栅电极重叠的第一氧化物半导体层；
设置在所述第一氧化物半导体层上并与该第一氧化物半导体层电连接的第一源电极或漏电极，所述第一源电极或漏电极包括包含第一材料的第一导电层和所述第一导电层上的包含第二材料的第二导电层；
设置在所述栅极绝缘层上的第二源电极或漏电极，所述第二源电极或漏电极包括包含所述第二材料的第三导电层；以及
设置在所述第二源电极或漏电极上并与该第二源电极或漏电极电连接的第二氧化物半导体层，所述第二氧化物半导体层与所述第二栅电极重叠。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体层的一部分用作p沟道型晶体管的沟道形成区域，并且，所述第二氧化物半导体层的一部分用作n沟道型晶体管的沟道形成区域。
4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体层的一部分用作p沟道型晶体管的沟道形成区域，并且，所述第二氧化物半导体层的一部分用作n沟道型晶体管的沟道形成区域。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一材料是该第一材料与所述第一氧化物半导体层之间的肖特基势垒为0.5eV以下的材料，并且，所述第二材料是该第二材料与所述第二氧化物半导体层之间的肖特基势垒为0.5eV以下的材料。
6.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一材料是该第一材料与所述第一氧化物半导体层之间的肖特基势垒为0.5eV以下的材料，并且，所述第二材料是该第二材料与所述第二氧化物半导体层之间的肖特基势垒为0.5eV以下的材料。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一材料是其功函数大于5.0eV的材料，并且，所述第二材料是其功函数小于4.8eV的材料。
8.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一材料是其功函数大于5.0eV的材料，并且，所述第二材料是其功函数小于4.8eV的材料。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极电连接，并且，所述第一源电极或漏电极与所述第二源电极或漏电极电连接。
10.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极电连接，并且，所述第一源电极或漏电极与所述第二源电极或漏电极电连接。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体层与所述第一导电层接触，并且，所述第二氧化物半导体层与所述第三导电层及第四导电层接触。
12.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体层与所述第一导电层接触，并且，所述第二氧化物半导体层与所述第三导电层接触。
13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体层包括选自氧化锡、氧化锌、氧化镍、铜铝氧化物、氧化锶铜中的材料。
14.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第一氧化物半导体层包括选自氧化锡、氧化锌、氧化镍、铜铝氧化物、氧化锶铜中的材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
