[发明专利]一种源漏区、接触孔及其形成方法

权利要求书

1.一种源漏区，由半导体材料构成，所述源漏区位于栅堆叠结构两侧且嵌入衬底中，其特征在于，所述源漏区包括：

第一区，至少部分厚度的所述第一区位于所述衬底内；

第二区，所述第二区形成于所述第一区上，所述第二区的材料与所述第一区的材料不同。

2.根据权利要求1所述的源漏区，其特征在于，所述第二区包括：

辅助层，所述辅助层用以在所述源漏区上形成嵌入的接触孔时承载所述接触孔；

停止层，所述停止层用以使所述接触孔终止于所述栅堆叠结构与所述衬底的交界线以上。

3.根据权利要求2所述的源漏区，其特征在于：在形成于硅衬底的PMOS器件中，所述第一区材料为SiGe，停止层为Si，辅助层为SiGe。

4.根据权利要求3所述的源漏区，其特征在于：在形成于硅衬底的NMOS器件中，所述第一区材料为Si_1-xC_x，停止层为Si，辅助层为SiGe。

5.根据权利要求1或2所述的源漏区，其特征在于：在包含所述源漏区的CMOS器件中，所述第一区对PMOS器件的沟道区提供压应力，所述第一区对NMOS器件的沟道区提供拉应力。

6.根据权利要求5所述的源漏区，其特征在于：所述PMOS器件中所述第一区的材料与所述NMOS器件中所述第一区的材料不同。

7.根据权利要求6所述的源漏区，其特征在于：所述PMOS器件中所述第二区的材料与所述NMOS器件中所述第二区的材料相同。

8.一种接触孔，其特征在于：所述接触孔嵌入如权利要求1至7中任一项所述的源漏区中，所述接触孔的底面与所述源漏区的交界线高于或重合于栅堆叠结构与衬底的交界线。

9.根据权利要求8所述的接触孔，其特征在于：在所述接触孔暴露的所述源漏区表层形成接触区后，所述接触区的底面与所述源漏区的交界线高于或重合于所述栅堆叠结构与所述衬底的交界线。

10.一种接触孔，其特征在于：所述接触孔嵌入源漏区中，所述接触孔的底面与所述源漏区的交界线高于或重合于栅堆叠结构与衬底的交界线；所述源漏区由半导体材料构成，所述源漏区位于栅堆叠结构两侧且嵌入衬底中，所述源漏区的上表面与所述栅堆叠结构和所述衬底的交界线之间的高度差大于所述源漏区的实际高度与目标高度之间的差值。

11.根据权利要求10所述的接触孔，其特征在于：在所述接触孔暴露的所述源漏区表层形成接触区后，所述接触区的底面与所述源漏区的交界线高于或重合于所述栅堆叠结构与所述衬底的交界线。

12.一种源漏区的形成方法，其特征在于，包括：

在衬底中位于栅堆叠结构两侧形成沟槽；

形成第一半导体层，至少部分所述第一半导体层填充所述沟槽；

在所述第一半导体层上形成第二半导体层，所述第二半导体层的材料与所述第一半导体层的材料不同。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述第二半导体层的步骤包括：

形成辅助层，所述辅助层用以在所述源漏区上形成嵌入的接触孔时承载所述接触孔；

形成停止层，所述停止层用以使所述接触孔终止于所述栅堆叠结构与所述衬底的交界线以上。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于：在形成于硅衬底的PMOS器件中，所述第一区材料为SiGe，停止层为Si，辅助层为SiGe。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于：在形成于硅衬底的NMOS器件中，所述第一区材料为Si_1-xC_x，停止层为Si，辅助层为SiGe。

16.根据权利要求12或13所述的方法，其特征在于：在包含所述源漏区的CMOS器件中，所述第一半导体层对PMOS器件的沟道区提供压应力，所述第一半导体层对NMOS器件的沟道区提供拉应力。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于：所述PMOS器件中所述第一半导体层的材料与所述NMOS器件中所述第一半导体层的材料不同。