[发明专利]掩膜图形转印装置和制备掩膜图形的方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示中的掩膜形成技术，尤其涉及一种掩膜图形转印装置和制备掩膜图形的方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)是目前常用的平板显示器。在近十年的飞速发展中，LCD从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大的进步。随着LCD生产的不断扩大，各个生产厂商之间的竞争也日趋激烈。各厂家在不断提高LCD的产品性能同时，也在不断努力降低生产成本，从而提高市场的竞争力。

掩膜曝光是目前LCD制备过程中必不可少的一道工序。掩膜曝光是：通过将掩膜版上的图形通过曝光的方法转印到经过涂胶、低压干燥、前烘烤等工序制备的感光性的光刻胶涂层上；经过显影与后烘烤工艺将光刻胶涂层制备成掩膜图形；再经过刻蚀工序与剥离工序将掩膜图形转移到结构层上，完成一层结构图形的制备。如此反复若干次完成LCD的制备。

但是，由于采用掩膜曝光的方法制备LCD需要使用多块掩膜版完整器件，而掩膜版的制备由于其异常高昂的价格成为LCD生产成本高的原因之一；并且当掩膜版的设计发生错误时，修改很不方便。此外，由于在制备光刻胶涂层的过程中需要进行低压干燥、前烘烤、显影工序，这些工序中需要的显影液、压缩气体等耗材也提高了LCD的生产成本。

发明内容

本发明提供一种掩膜图形转印装置和制备掩膜图形的方法，以降低LCD的生产成本。

本发明提供一种掩膜图形转印装置，包括：

内轮，相对于所述内轮的轮轴固定，所述内轮与基板在水平面上相对运动；

磁化磁头，设置于所述内轮上与所述基板距离最短的内轮底部，用于磁化镀完结构层膜层的所述基板上对应无需掩膜保护的区域的复合粉末，所述复合粉末由内核的铁磁性金属和外围的树脂外膜组成且均匀铺设在所述结构层膜层之上；

非铁磁性材料形成的外轮，用于绕所述内轮转动，吸附经过所述磁化磁头磁化后的复合粉末以使所述基板上剩余的所述复合粉末形成预掩膜图形，其中，形成的所述预掩膜图形经过烘烤后，所述剩余的复合粉末外围的所述树脂外膜融化以消除所述预掩膜图形的间隙，形成掩膜图形；

去磁化磁头，设置于朝向所述基板转动的所述外轮对应的所述内轮的边缘部，用于对所述外轮吸附的所述磁化后的复合粉末进行去磁化操作；

收集斗，所述收集斗的外边缘与朝向所述基板转动的所述外轮一侧相切，且设置于所述去磁化磁头的下方，用于收集去磁化后的复合粉末。

本发明还提供一种制备掩膜图形的方法，包括：

通过控制掩膜图形转印装置的磁化磁头的磁化时间，所述磁化磁头磁化镀完结构层膜层的基板上对应无需掩膜保护的区域的复合粉末，所述复合粉末由内核的铁磁性金属和外围的树脂外膜组成且均匀铺设在所述结构层膜层之上；

所述掩膜图形转印装置的外轮绕所述掩膜图形转印装置的内轮转动，并吸附经过所述磁化磁头磁化后的复合粉末，以使所述基板上剩余的复合粉末形成预掩膜图形；

所述磁化后的复合粉末随所述外轮转动至所述掩膜图形转印装置的去磁化磁头处，被所述去磁化磁头去磁化，并由所述掩膜图形转印装置的收集斗收集去磁化后的复合粉末；

烘烤所述基板上形成的所述预掩膜图形，使所述剩余的复合粉末外围的所述树脂外膜融化以消除所述预掩膜图形的间隙，形成掩膜图形。

本发明提供的掩膜图形转印装置和制备掩膜图形的方法，采用磁化与去磁化技术，对基板上的复合粉末进行操作，从而形成掩膜图形，不需要掩模版与显影等进行掩膜图形的制备，能够提高LCD的制作效率和液晶面板的质量，降低LCD的生产成本。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的掩膜图形转印装置的结构示意图；

图2为本发明实施例一中形成的制备图形示意图；

图3为本发明实施例一中形成的预掩膜图形示意图；

图4为本发明实施例一中形成的掩膜图形示意图；

图5为本发明实施例一中采用掩膜图形刻蚀结构层膜层的示意图；

图6为本发明实施例二提供的掩膜图形转印装置的结构示意图；

图7为本发明实施例三提供的掩膜图形转印装置的结构示意图；

图8为本发明实施例四提供的掩膜图形转印装置的结构示意图；

图9为本发明实施例五提供的制备掩膜图形的方法的流程示意图。

附图标记：

1-基板；      11-内轮；            12-外轮；

13-磁化磁头； 14-去磁化磁头；      15-收集斗；