[发明专利]掩膜图形转印装置和制备掩膜图形的方法

权利要求书

1.一种掩膜图形转印装置，其特征在于，包括：

内轮，相对于所述内轮的轮轴固定，所述内轮与基板在水平面上相对运动；

磁化磁头，设置于所述内轮上与所述基板距离最短的内轮底部，用于磁化镀完结构层膜层的所述基板上对应无需掩膜保护的区域的复合粉末，所述复合粉末由内核的铁磁性金属和外围的树脂外膜组成且均匀铺设在所述结构层膜层之上；

非铁磁性材料形成的外轮，用于绕所述内轮转动，吸附经过所述磁化磁头磁化后的复合粉末以使所述基板上剩余的所述复合粉末形成预掩膜图形，其中，形成的所述预掩膜图形经过烘烤后，所述剩余的复合粉末外围的所述树脂外膜融化以消除所述预掩膜图形的间隙，形成掩膜图形；

去磁化磁头，设置于朝向所述基板转动的所述外轮对应的所述内轮的边缘部，用于对所述外轮吸附的所述磁化后的复合粉末进行去磁化操作；

收集斗，所述收集斗的外边缘与朝向所述基板转动的所述外轮一侧相切，且设置于所述去磁化磁头的下方，用于收集去磁化后的复合粉末。

2.根据权利要求1所述的掩膜图形转印装置，其特征在于，在所述外轮外设置有吸收器，所述吸收器的吸收口朝向通过所述去磁化磁头的径向方向，用于吸收被所述去磁化磁头去磁化后的复合粉末。

3.根据权利要求1或2所述的掩膜图形转印装置，其特征在于，所述去磁化磁头设置于朝向所述基板转动的所述外轮对应的所述内轮的低于轴心的边缘部。

4.根据权利要求1所述的掩膜图形转印装置，其特征在于，在所述收集斗的下方设置有喷洒装置，用于向所述收集斗的外边缘下方至所述磁化磁头之间的所述外轮上喷洒增强所述复合粉末外围的所述树脂外膜与所述外轮吸附能力的喷雾。

5.根据权利要求4所述的掩膜图形转印装置，其特征在于，所述喷洒装置一体形成在所述收集斗的外边缘下方。

6.根据权利要求4所述的掩膜图形转印装置，其特征在于，所述喷洒装置喷洒的所述喷雾为六甲基二硅氨烷蒸汽。

7.一种制备掩膜图形的方法，其特征在于，包括：

通过控制掩膜图形转印装置的磁化磁头的磁化时间，所述磁化磁头磁化镀完结构层膜层的基板上对应无需掩膜保护的区域的复合粉末，所述复合粉末由内核的铁磁性金属和外围的树脂外膜组成且均匀铺设在所述结构层膜层之上；

所述掩膜图形转印装置的外轮绕所述掩膜图形转印装置的内轮转动，并吸附经过所述磁化磁头磁化后的复合粉末，以使所述基板上剩余的复合粉末形成预掩膜图形；

所述磁化后的复合粉末随所述外轮转动至所述掩膜图形转印装置的去磁化磁头处，被所述去磁化磁头去磁化，并由所述掩膜图形转印装置的收集斗收集去磁化后的复合粉末；

烘烤所述基板上形成的所述预掩膜图形，使所述剩余的复合粉末外围的所述树脂外膜融化以消除所述预掩膜图形的间隙，形成掩膜图形。

8.根据权利要求7所述的制备掩膜图形的方法，其特征在于，在所述由所述掩膜图形转印装置的收集斗收集去磁化后的复合粉末之前，还包括：由所述掩膜图形转印装置的吸收器吸收所述去磁化后的复合粉末。

9.根据权利要求7所述的制备掩膜图形的方法，其特征在于，还包括：由所述掩膜图形转印装置的喷洒装置向所述收集斗的外边缘下方至所述磁化磁头之间的所述外轮上喷洒增强所述复合粉末外围的所述树脂外膜与所述外轮吸附能力的喷雾。

10.根据权利要求7所述的制备掩膜图形的方法，其特征在于，所述复合粉末的粒径小于500nm。

11.根据权利要求7所述的制备掩膜图形的方法，其特征在于，还包括：控制所述外轮最下端与所述基板上的所述复合粉末的间距在0.2um-5um范围内。

12.根据权利要求7所述的制备掩膜图形的方法，其特征在于，在所述烘烤所述基板上形成的预掩膜图形的步骤中，烘烤温度在100℃-150℃。