[发明专利]增强晶圆识别码清晰度的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别涉及增强晶圆识别码清晰度的方法。

背景技术

晶圆识别码(wafer ID)被标记于每一片晶圆上，可以用于辨别各批晶圆。通常的，晶圆识别码可以先于半导体器件形成在晶圆的外围区域，也可以在形成半导体器件之后形成在晶圆的外围区域。晶圆识别码先于半导体器件形成在晶圆的外围区域的缺点在于：晶圆识别码会被后续工艺形成的组成半导体器件的某些层覆盖，从而，晶圆识别码无法被识别。晶圆识别码在形成半导体器件后形成在晶圆的外围区域避免了晶圆识别码被半导体器件覆盖的缺点，该种方式常常应用于40纳米、45纳米和90纳米的工艺中。

在40纳米和45纳米的工艺中，晶圆识别码通常采用如下方式形成：在半导体器件形成在晶圆的器件区域后，在所述晶圆上形成覆盖所述半导体器件的第一钝化层，对第一钝化层进行光刻(包括曝光、显影)处理，在光刻处理的过程中，对第一钝化层上与所述外围区域相对应的区域也进行曝光处理，接着，在第一钝化层上形成铝膜，并刻蚀铝膜形成连接半导体器件的铝焊盘，在刻蚀铝膜时，铝膜上与所述外围区域对应的铝膜也被刻蚀掉，在铝膜上形成覆盖所述铝膜的第二钝化层，在第二钝化层上标记晶圆识别码。上述方式中，由于在之前形成半导体器件过程中，为了保证退火工序时晶圆表面受热均匀而保证半导体器件性能的一致性，形成半导体器件的工作区和栅极区的层必须覆盖晶圆的整个表面且会在整个晶圆表面形成图形，由于第一钝化层和第二钝化层为透明的，因此，晶圆识别码会和已形成于工作区、栅极区的图形混在一起，从而，使得晶圆识别码的清晰度变低。另外，由于晶圆识别码的标记位置所占面积较大，因此，位于器件区域内的各半导体器件的图形也可能与晶圆识别码混在一起，也使得晶圆识别码的清晰度低。

晶圆识别码清晰度低的问题也存在于90纳米的工艺中，90纳米工艺通常包括前段工艺和后段工艺，此处所述前段工艺和后段工艺以形成金属层作为分界点。90纳米工艺中，晶圆识别码标记在第二钝化层上，标记晶圆识别码的具体方法是：在第一钝化层上和铝膜上与所述晶圆识别码的标记位置相应处进行曝光处理并刻蚀掉相应的铝膜和第一钝化层，在铝膜上形成第二钝化层，并在第二钝化层的晶圆识别码的标记位置标记晶圆识别码。该种方式中，在前段工艺中形成的半导体器件的工作区和栅极区层的图形仍会使得晶圆识别码的清晰度低。

另外，关于标记晶圆识别码的相关技术还可以参见中国专利申请02106277.3号。

发明内容

本发明解决的技术问题是晶圆识别码清晰度低的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种增强晶圆识别码清晰度的方法，该方法包括如下步骤：提供表面覆盖有第一钝化层的晶圆；在所述第一钝化层上形成铝膜；刻蚀所述铝膜，保留遮挡区的铝膜，所述遮挡区为与晶圆识别码的标记位置对应的区域。

可选地，所述遮挡区的面积至少等于晶圆识别码的标记位置的面积。

可选地，所述第一钝化层为二氧化硅层或者氮化硅层。

可选地，所述刻蚀所述铝膜，保留所述遮挡区的铝膜包括：在所述铝膜上形成光刻胶层，对所述遮挡区外的光刻胶进行曝光、显影，然后刻蚀所述铝膜。

可选地，所述方法还包括：在所述遮挡区标记晶圆标识码。

可选地，所述方法还包括在所述铝膜上形成第二钝化层。

可选地，所述第二钝化层为氮化硅层。

可选地，所述方法还包括刻蚀所述第二钝化层，保留与所述遮挡区对应的第二钝化层区域，在与所述遮挡区对应的第二钝化层区域标记晶圆标识码。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、本发明的遮挡区的铝膜留在第一钝化层上，由于铝的不透明性，位于遮挡区下的半导体器件的图形不会与位于遮挡区的晶圆识别码或者位于第二钝化层对应于遮挡区的晶圆识别码混在一起，从而，晶圆识别码的清晰度高。

2、由于遮挡区覆盖有光刻胶层，这样，可以避免在刻蚀形成铝焊盘和遮挡区的时候产生电弧缺陷。

3、由于形成有第二钝化层，这样，不仅保护位于遮挡区的晶圆识别码，而且，可以保护铝膜以及晶圆上的半导体器件。

附图说明

图1是本发明增强晶圆识别码清晰度的方法的第一实施例的流程图；

图2是本发明实施例的晶圆结构示意图；

图3至图7是本发明第一实施例中各步骤的晶圆沿图2的A-A方向剖面结构示意图；

图8是本发明在第一实施例中形成第二钝化层的示意图；

图9是本发明增强晶圆识别码清晰度的方法的第二实施例的流程图；

图10是图9所述第二实施例的步骤S24的晶圆剖面结构示意图。

具体实施方式