[发明专利]增强晶圆识别码清晰度的方法有效
| 申请号： | 201010154722.4 | 申请日： | 2010-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222601A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 王铁柱;林益世 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 识别码 清晰度 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种增强晶圆识别码清晰度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供表面覆盖有第一钝化层的晶圆；
在所述第一钝化层上形成铝膜；
刻蚀所述铝膜，保留遮挡区的铝膜，所述遮挡区为与晶圆识别码的标记位置对应的区域。
2.如权利要求1所述的增强晶圆识别码清晰度的方法，其特征在于，所述遮挡区的面积至少等于晶圆识别码的标记位置的面积。
3.如权利要求1所述的增强晶圆识别码清晰度的方法，其特征在于，所述第一钝化层为二氧化硅层或者氮化硅层。
4.如权利要求1所述的增强晶圆识别码清晰度的方法，其特征在于，所述刻蚀所述铝膜，保留所述遮挡区的铝膜包括：在所述铝膜上形成光刻胶层，对所述遮挡区外的光刻胶进行曝光、显影，然后刻蚀所述铝膜。
5.如权利要求1所述的增强晶圆识别码清晰度的方法，其特征在于，还包括：在所述遮挡区标记晶圆标识码。
6.如权利要求1所述的增强晶圆识别码清晰度的方法，其特征在于，还包括在所述铝膜上形成第二钝化层。
7.如权利要求6所述的增强晶圆识别码清晰度的方法，其特征在于，所述第二钝化层为氮化硅层。
8.如权利要求6所述的增强晶圆识别码清晰度的方法，其特征在于，还包括：刻蚀所述第二钝化层，保留与所述遮挡区对应的第二钝化层区域，在与所述遮挡区对应的第二钝化层区域标记晶圆标识码。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
