[发明专利]一种n型晶体硅的制备方法无效
| 申请号： | 201010148437.1 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN101812728A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 蒋君祥;徐璟玉;胡建锋;熊斌;戴宁;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能电池研究与发展中心 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 201201 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种n型晶体硅的制备方法，其特征在于：在晶体生长过程中，对熔融硅液施加一个平行于晶体生长方向的直流电场，在温度场和电场的协同控制下完成晶体生长，获得在晶体生长方向上均匀掺杂的n型多晶硅锭或n型单晶硅棒。
2.根据权利要求1的一种n型晶体硅的制备方法，其特征在于：所述的n型晶体硅是指由P、As和Sb中的一种或几种掺杂形成的。
3.根据权利要求1的一种n型晶体硅的制备方法，其特征在于：所述的晶体生长是指采用定向凝固的多晶硅铸锭或CZ法拉制单晶或FZ法生长单晶。
4.根据权利要求1的一种n型晶体硅的制备方法，其特征在于：所述平行于晶体生长方向的直流电场，是指电场方向与晶体生长方向相同；其电场的电压为0.1～10V或电流密度为0.1～10A/cm2；所用电源为稳流直流或稳压直流。
5.根据权利要求1的一种n型晶体硅的制备方法，其特征在于：所述的温度场和电场的协同控制是以温度场为主控制晶体的生长速度，直流电场强度以其产生的焦耳热不影响温度场为宜。
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