[发明专利]半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件(100)，包括：

第一导电类型的半导体衬底(1001)；

在半导体衬底(1001)上形成的栅极；以及

分别在栅极两侧的半导体衬底(1001)中形成的高掺杂的第一导电类型的区域(1008)和高掺杂的第二导电类型的区域(1012)，

其中，高掺杂的第二导电类型的区域(1012)在栅极一侧的端部通过介质层(1011′)与半导体衬底(1001)隔开。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或者所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，栅极包括：

在半导体衬底(1001)上形成的栅极绝缘层(1003)；以及

在栅极绝缘层(1003)之上形成的高掺杂的第二导电类型的栅极主体(1004)。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述高掺杂的第二导电类型的区域(1012)由近第二导电类型金属材料形成。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述介质层(1011′)包括氧化物膜或氮化物膜，其厚度小于。

6.一种制作半导体器件(100)的方法，包括：

提供第一导电类型的半导体衬底(1001)；

在半导体衬底(1001)上形成栅极；

在栅极的第一侧的半导体衬底中形成高掺杂的第一导电类型的区域(1008)；以及

在栅极与第一侧相对的第二侧的半导体衬底中形成高掺杂的第二导电类型的区域(1012)，

其中，在形成高掺杂的第二导电类型的区域(1012)之前，在将要形成的该高掺杂的第二导电类型的区域(1012)靠近栅极一侧的端部处，形成介质层(1011′)。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一导电类型为P型，第二导电类型为N型；或者所述第一导电类型为N型，第二导电类型为P型。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成栅极包括：

在半导体衬底(1001)上形成栅极绝缘层(1003)；以及

在栅极绝缘层(1003)之上形成高掺杂的第二导电类型的栅极主体(1004)。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，形成高掺杂的第一导电类型的区域(1008)包括：

在栅极的第二侧，在半导体衬底(1001)上形成覆层(1007)；

在栅极的第一侧，形成高掺杂的第一导电类型的区域(1008)；以及

去除覆层(1007)。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，形成介质层(1011′)以及形成高掺杂的第二导电类型的区域(1012)包括：

在栅极的第一侧，在半导体衬底(1001)上形成保护层(1009)；

在栅极的第二侧，选择性刻蚀半导体衬底(1001)，形成凹入区域(1010)；

在凹入区域(1010)靠近栅极一侧形成介质层(1011′)；

在凹入区域(1010)中形成高掺杂的第二导电类型的区域(1012)；以及

去除保护层(1009)。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述介质层(1011′)包括氧化物膜或氮化物膜，其厚度小于。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，在凹入区域(1010)中形成高掺杂的第二导电类型的区域(1012)包括：

在凹入区域(1010)中，在半导体衬底上外延生长Si或SiGe，所述Si或SiGe被高掺杂为第二导电类型。

13.根据权利要求10所述的方法，其中，在凹入区域(1010)中形成高掺杂的第二导电类型的区域(1012)包括：

在凹入区域(1010)中，在半导体衬底上沉积Si，所述Si被高掺杂为第二导电类型。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，在凹入区域(1010)中形成高掺杂的第二导电类型的区域(1012)包括：

在凹入区域(1010)中，在半导体衬底上沉积近第二导电类型金属材料。