[发明专利]表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法无效
申请号: | 201010142443.6 | 申请日: | 2010-04-09 |
公开(公告)号: | CN101792918A | 公开(公告)日: | 2010-08-04 |
发明(设计)人: | 李明;胡安民;刘开林;杭弢;罗庭碧 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C25D7/00 | 分类号: | C25D7/00;C25D3/56 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 co 纳米 针状 布阵 结构 制备 方法 | ||
1.一种表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,其特征在于,包括步骤如下:
(1)将表面需要形成微纳米针晶布阵结构的铜板基材进行除油、除锈及活化前处理;
(2)将经步骤(1)前处理好的基材置于下述电镀溶液中,并将基材作为阴极,将钴板或不溶性极板作为阳极,并通过导线使基材、钴板或不溶性极板与电镀电源构成回路;
(3)通过电镀电源对基材实施电镀,电镀时用直流或用单脉冲或双脉冲电流。
2.根据权利要求1所述的表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,其特征是,所述的除油,是指将基材表面粘附的油污有机物质去除的处理工序。
3.根据权利要求1所述的表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,其特征是,所述的除锈,是指将基材表面的氧化层无机物质去除的处理工序。
4.根据权利要求1所述的表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,其特征是,所述的活化,是指将基材在具有腐蚀性的溶液中浸泡,通过基材的轻微腐蚀,增加表面活性,提高后续镀层的结合强度的处理工序。
5.根据权利要求1所述的表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,其特征是,所述的电镀溶液要求如下:钴及其合金的沉积金属离子0.1-2.5mol/L,络合剂0.1-2mol/L,缓冲剂硼酸0.5mol/L,结晶调整剂1-1000PPM,溶液温度40-70℃,pH值1.0-7.0。
6.根据权利要求5所述的表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,其特征是,所述的钴及其合金的沉积金属离子由硫酸盐、氯化物或醋酸盐构成的金属盐提供。
7.根据权利要求5所述的表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,其特征是,所述的络合剂是由柠檬酸盐、乙二胺四乙酸盐、醋酸盐、乙二胺中一种或两种以上构成。
8.根据权利要求5所述的表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,其特征是,所述的结晶调整剂,由Cu、Ag、Zn、Sn、Ca以及Y、La、Ce、Eu稀土金属离子构成。
9.根据权利要求1所述的表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,其特征是,所述的电镀,其电流密度为0.25-5A/dm2,电镀时间为50-5000s。
10.根据权利要求1所述的表面Co基微纳米针状晶布阵结构的制备方法,其特征是,所述的针状晶的平均高度为100-2000纳米,底部平均直径为50-600纳米。
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