[发明专利]一种抗阻塞高硬度薄膜及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010142228.6 申请日: 2010-04-02
公开(公告)号: CN102211436A 公开(公告)日: 2011-10-12
发明(设计)人: 朴赞镐 申请(专利权)人: 素塔电子科技(上海)有限公司
主分类号: B32B27/08 分类号: B32B27/08;B32B33/00;B32B9/04;C09D4/02;B29C41/22
代理公司: 北京东正专利代理事务所(普通合伙) 11312 代理人: 刘瑜冬
地址: 201821 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 阻塞 硬度 薄膜 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种抗阻塞高硬度薄膜,包括高分子基层,其特征在于,在该高分子基层的一面或两面上,涂布有平均粒度为0.01~0.5μm的胶体二氧化硅的紫外线硬化涂层,形成抗阻塞高硬度薄膜。

2.根据权利要求1所述的抗阻塞高硬度薄膜,其特征在于,上述紫外线硬化涂层,是含有紫外线硬化组成成分和胶体二氧化硅的混合物,该涂层靠紫外线硬化,且单分散的胶体二氧化硅浮于涂层表面。

3.根据权利要求1所述的抗阻塞高硬度薄膜,其特征在于,作为薄膜的高分子基层材料可以是以下材料之一或其混合物:聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚乙烯2,6-萘、聚对苯二甲酸乙二酯、聚丁烯二甲酸丁二酯、三聚醋酸纤维、丙烯酸树脂或聚氯乙烯。

4.根据权利要求2所述的抗阻塞高硬度薄膜,其特征在于,紫外线硬化涂层中所包含的紫外线硬化组成成分是由紫外线硬化树脂、有机溶剂、光起始剂及表面添加剂组成的混合物。

5.根据权利要求4所述的抗阻塞高硬度薄膜,其特征在于,所述紫外线硬化树脂是在丙烯酸胺酯寡聚体、环氧丙烯酸酯寡聚体、聚醚丙烯酸酯寡聚体、聚脂纤维丙烯酸酯寡聚体、十溴脂肪族聚氨酯丙烯酸酯寡聚体、二季戊四醇山梨糖醇六醋酸酯单体、二季戊四醇五丙烯酸酯单体、二四羟基甲烷五丙烯酸酯单体、双季戊四醇五丙烯酸酯单体、五丙烯硫醇四丙烯酸酯单体、五赤丁四醇丙烯酸酯单体、五烷基三硝基甲苯三丙烯酸酯单体、五赤丁四醇丙烯酸酯单体、五赤丁四烷醇四丙烯酸酯单体、三甲基醇丙烷甲基丙烯酸酯单体、三甲基醇丙烷丙烯酸酯单体、己级烷二醇二丙烯酸酯寡聚体、聚乙烯乙二醇二丙烯酸酯单体、乙烯乙二醇二甲基丙烯酸酯单体、二乙烯乙二醇二甲基丙烯酸酯单体、三苯基乙二醇二丙烯酸酯单体、丁二醇二丙烯酸酯单体、三乙烯乙二醇二丙烯酸酯单体、羟乙基(或甲基)丙烯酸酯单体、羟丙基纤维素(甲基)丙烯酸酯单体、羟乙基(或甲基)丙烯酸酯单体、烯丙基丙烯酸酯单体、己内酯丙烯酸酯单体、三羟乙基丙烷丙烯酸酯中选择一个或两个以上的混合物;所述有机溶剂是指在甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、戊醇、甲氧基乙醇、乙氧基乙醇、丁氧基乙醇、甲基乙基甲酮、甲基异丁基甲酮、丙酮、二甲替甲酰胺、双丙酮醇、标准甲基吡咯烷酮、二甲苯、甲苯中选择一个或两个以上的混合物;所述光起始剂是指在在1-羟基-环己烷基-苯基-酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、2-羟基-1-[4-(2-羟基乙氧基)苯基]-2-甲基-1-丙酮、苯甲酰甲酸乙酯、2-苯甲基-2-(二甲氨基)-1-[4-(4-吗啉)苯基]-1-丁酮、2-甲基-1-[4(甲硫)苯基]-2-(4-吗啉)-1-丙酮、双苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化磷、氧化磷双苯基(2,4,6-三甲基苯甲酰基)、二(乙醇胺5-2,4-环戊二烯基)二[2,6-二乙基草乙酸-3-(1氢-苯酚-1-基)苯基]钛、奥顿纽姆、(4-甲基苯基)[4-(2-甲基丙基)苯基]-六氟磷酸中选择一个或两个以上的混合物;所述表面添加剂,是指在聚醚变性聚甲基矽氧烷、聚醚变性聚二甲基硅氧烷、聚醚变性氢化聚二甲基硅氧烷、聚丙烯酸酯、聚醚硅共聚物、氟硅中选择一个或两个以上混合物。

6.根据权利要求1所述的抗阻塞高硬度薄膜,其特征在于,所述紫外线硬化涂层的厚度为1~10μm。

7.一种权利要求1所述的抗阻塞高硬度薄膜的制造方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:(a)将平均粒度为0.01~0.5μm的胶体二氧化硅和紫外线硬化组成成分混合,制造混合物的阶段;(b)将(a)步制备混合物,涂布于高分子基层的一面或两面后干燥,使胶体二氧化硅处于涂层表面;(c)对(b)步的涂层照射紫外线使其硬化。

8.根据权利要求7所述的抗阻塞高硬度薄膜的制造方法,其特征在于,胶体二氧化硅和紫外线硬化组成成分混合的质量比为,100份紫外线硬化组成成分中混合0.01~5份的胶体二氧化硅。

9.根据权利要求7所述的抗阻塞高硬度薄膜的制造方法,其特征在于,上述(b)阶段的干燥温度为50~150℃且胶体二氧化硅具有单分散粒度。

10.根据权利要求7所述的抗阻塞高硬度薄膜的制造方法,其特征在于,所述紫外线硬化组成成分的黏度为1~30cP。

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