[发明专利]多层式阵列型发光二极管

权利要求书

1.一种多层式阵列型发光二极管，其特征在于，包含：

一基板，该基板至少具有一出光区及两导线架容置槽，其中该出光区位于该基板的中间区块，该两导线架容置槽位于该基板的前后侧区块，其中该基板进一步具有设置于该基板的左、右侧边区块的至少一第一固定孔及至少一穿孔，以及对应于该两导线架容置槽的至少两凹槽；

一封装模块，其以一射出成型方式形成于该基板的该出光区周围，该封装模块高于该出光区的表面的部份定义成一上封装模块，其中该上封装模块底面的前后两侧向下形成有两凸板，该两凸板的配置位置相对应于该导线架容置槽，该两凸板的长度至少大于该导线架容置槽的最长长度，该两凸板超出于该导线架容置槽的部份并向下延设有一第一凸部，该第一凸部底端向内平行延设有两突块，该两突块用以对应地与该两凹槽相组装，其中该上封装模块底面在相对应于该第一固定孔处形成有一第二凸部，该第二凸部对应于该凸缘的位置则形成有一凹缘，又该上封装模块具有一顶面、一第一内壁面、一固定面及一反光面，其中该顶面为一位于该上封装模块上侧周缘的平面部分，该顶面包含一连接于该上封装模块的该第一内壁面的内边，该第一内壁面垂设该顶面，且该第一内壁面包含一连接于该上封装模块的该固定面的底边，其中该第一内壁面的底边垂直于该固定面，且该固定面平行于该顶面；

两导线架，该两导线架部份地被包埋于该凸板内，其中每一导线架最靠近该出光区一侧的部份为一内电性连接区，一用以打线接合并包埋于该两凸板内的中间区，以及一远离于该出光区及未包埋于该两凸板内的外电性连接区，其中该内电性连接区及该外电性连接区之间设有至少一第二卡合槽及至少一第二固定孔，该第二卡合槽与该第二固定孔皆包埋于该封装模块内，而该导线架的该内电性连接区与该导线架的该外电性连接区保留未封入于该封装模块以供打线接合与电性连接使用，其中该外电性连接区设有多个供与外部组件电性连接的焊孔，且该外电性连接区至少须超出该基板的周缘；

一发光单元，该发光单元设置于该出光区之上，其中该发光单元包含有多个发光二极管晶粒，所述发光二极管晶粒互相打线接合并接合导线到该两导线架以构成一电路；

一罩体，该罩体由可透光性硅胶以射出成形方式制成，该罩体可罩覆该封装模块与该发光单元以保护该发光单元，其中该罩体的底周缘向外延设有一延伸座，该延伸座的底面设有一嵌合部，该嵌合部相对应于该罩体嵌合槽的设置位置；

一保护层，该保护层涂布于所述发光二极管晶粒及接合的导线之上；以及

一荧光层，该荧光层形成于该保护层上方，其中该荧光层在由一荧光墙所定义的区域内藉提供一磷化合物剂而形成，该反光面的内边与该荧光墙相接合。

2.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管，其特征在于，该基板进一步包含设置有分别相对应于该两导线架容置槽的每一导线架容置槽的一凹槽，以及该两导线架定位于定义为该两导线架容置槽的侧边配置空间内，其中该两导线架与该基板保持非接触。

3.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管，其特征在于，该基板的材质为一铜、一铝、一铜合金或一铝合金的至少其中之一。

4.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管，其特征在于，该出光区的周边设有一第一卡合槽。

5.如权利要求4所述的多层式阵列型发光二极管，其特征在于，该第一卡合槽的断面呈一“V”型。

6.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管，其特征在于，该第二卡合槽的断面呈一“V”型。

7.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管，其特征在于，该基板的表面进一步设有一导热反光层，该导热反光层的材质至少包含有一镍或一银的至少其中之一。

8.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管，其特征在于，该导线架的表面至少不低于该出光区的表面。

9.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管，其特征在于，该罩体嵌合槽的断面呈一“V”型。

10.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管，其特征在于，该延伸座间的长度至少不小于该上封装模块的该第一内壁面间的长度。

11.如权利要求1所述的多层式阵列型发光二极管，其特征在于，所述发光二极管晶粒以阵列排列配置于该出光区的表面。