[发明专利]有机EL装置、有机EL装置的制造方法、电子设备无效
| 申请号: | 201010141837.X | 申请日: | 2010-03-25 |
| 公开(公告)号: | CN101847651A | 公开(公告)日: | 2010-09-29 |
| 发明(设计)人: | 行田幸三 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/34;H01L21/50;G09F9/33;G02F1/167 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李伟;阎文君 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 el 装置 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种有机EL装置,其特征在于,具备:
具有有机EL元件的有机EL面板;
散热构件;及
至少一方透明的一对薄膜片,
所述有机EL面板与所述散热构件,在相互重叠并且将所述散热构件的一部分露出到外部的状态下,由所述一对薄膜片夹持而密封。
2.根据权利要求1所述的有机EL装置,其特征在于,所述散热构件是与层厚方向相比在面内方向具有高热传导性的散热片与金属制的散热板的层叠体,
将所述有机EL面板与所述散热片重叠,
所述散热板的一部分露出在所述一对薄膜片的外部。
3.根据权利要求1或2所述的有机EL装置,其特征在于,至少在所述一对薄膜片与所述有机EL面板的外周端面之间形成的间隙中填充密封树脂,利用所述一对薄膜片密封所述有机EL面板。
4.根据权利要求3所述的有机EL装置,其特征在于,所述有机EL面板具有由玻璃基板构成的基材和设于所述基材上的所述有机EL元件,
所述基材的厚度为20μm以上50μm以下。
5.根据权利要求2~4中任意一项所述的有机EL装置,其特征在于,所述散热片包含石墨片。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的有机EL装置,其特征在于,在所述散热构件的重叠了所述有机EL面板一侧的相反侧,还配置有显示面板,
所述有机EL面板、所述散热构件和所述显示面板通过所述一对薄膜片夹持而被密封。
7.根据权利要求6所述的有机EL装置,其特征在于,所述显示面板是所述有机EL面板或具有电泳层的电泳面板。
8.一种有机EL装置的制造方法,是具有形成了有机EL元件的有机EL面板、与所述有机EL面板直接或隔着粘接剂层紧密粘接的散热构件的有机EL装置的制造方法,其特征在于,包括:
第一步骤,在至少一方透明的一对薄膜片之间配置所述有机EL面板和所述散热构件,将所述一对薄膜片、所述有机EL面板和所述散热构件的层叠体插入到一对加压机构之间;
第二步骤,使粘接剂设置在一对薄膜片之间,使所述散热构件的一部分从所述一对薄膜片之间露出在外部的状态下,利用所述一对加压机构将所述层叠体加压,在所述有机EL面板的周缘部将所述一对薄膜片粘接。
9.根据权利要求8所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,在所述第二步骤中,通过利用所述一对加压机构对所述层叠体加压,将所述粘接剂在所述一对薄膜片与所述有机EL面板和所述散热构件之间的间隙中挤压扩散而密封所述间隙,并且在所述有机EL面板的周缘部使用所述粘接剂粘接所述一对薄膜之间相面对的部分、所述散热构件与所述薄膜片相面对的部分,从而将所述有机EL面板密封在所述一对薄膜片的内部。
10.根据权利要求9所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,所述一对加压机构是一对加压辊,
在所述第一步骤中,将所述层叠体从所述一对薄膜片的与所述散热构件露出一侧的相反侧的端部插入到所述一对加压辊中。
11.根据权利要求8~10中任意一项所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,所述粘接剂是热塑性的粘接剂,所述粘接剂分别形成于所述一对薄膜片的相互面对的面、和所述散热构件的与所述薄膜片相面对的面上。
12.根据权利要求8~11中任意一项所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,在所述第一步骤中,在所述散热构件的重叠有所述有机EL面板一侧的相反侧,再重叠配置显示面板,
在所述第二步骤中,在层叠了所述有机EL面板、所述散热构件及所述显示面板的层叠体的周缘部,密封所述一对薄膜片。
13.根据权利要求12所述的有机EL装置的制造方法,其特征在于,所述显示面板是所述有机EL面板或具有电泳层的电泳面板。
14.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求1~7中任意一项所述的有机EL装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





