[发明专利]一种集成电路结构

权利要求书

1.一种集成电路结构，其特征在于，包含：

一半导体基板；

一聚亚酰胺层，位于该半导体基板之上；

一凸块下金属层，该凸块下金属层包含一第一区块与一第二区块，其中该第一区块位于该聚亚酰胺层之上，该第二区块与该聚亚酰胺层位于同一平面；以及

一第一焊接凸块与一第二焊接凸块，位于该凸块下金属层之上，该第一焊接凸块与该第二焊接凸块两者的间距不超过150微米，其中该凸块下金属层的第一宽度为该间距的一半再加上一大于5微米的长度。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该第一焊接凸块与该第二焊接凸块的凸块高度为该间距的一半再加上一介于5微米至10微米间的长度。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该聚亚酰胺层包含一孔洞，该孔洞具有第二宽度且该凸块下金属层延伸进该孔洞，其中该第二宽度介于35％的该第一宽度和50％的该第一宽度之间。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该第一焊接凸块与该第二焊接凸块包含银，且该第一焊接凸块以及该第二焊接凸块中银的重量百分比均介于1％和2.2％之间。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，还包含：

多个介电层，位于该半导体基板和该凸块下金属层之间，其中该些介电层是由具有介电常数值介于2.5和2.9之间的极低介电常数介电材料所形成。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，还包含：

多个介电层，位于该半导体基板与该凸块下金属层之间，其中该些介电层是由具有介电常数值小于2.5的超低介电常数介电材料所形成。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，还包含：

一保护层，位于该聚亚酰胺层之下；以及

一金属垫片，位于该保护层之下并透过一孔洞电性连接于该凸块下金属层。

8.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该凸块下金属层包含：

一种晶层；

一铜镀层，位于该种晶层之上并接触该种晶层，且该铜镀层的厚度小于5微米；

一镍镀层，位于该铜镀层之上并接触该铜镀层，且该镍镀层的厚度小于3微米。

9.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，还包含：

一底部填胶，位于该第一焊接凸块与该第二焊接凸块之间，其中该底部填胶的玻璃转换温度介于摄氏85度和120度之间。

10.根据权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，还包含：

一封装基板，与该第一焊接凸块和该第二焊接凸块连接。

11.一种集成电路结构，其特征在于，包含：

一半导体基板；

一金属垫片，位于该半导体基板之上；

一保护层，至少部分该保护层位于该金属垫片之上，其中该金属垫片露出于第一孔洞；

一聚亚酰胺层，位于该保护层之上并延伸进该第一孔洞，其中该聚亚酰胺层包含第二孔洞，该第二孔洞的宽度小于40微米，且该金属垫片露出于该第二孔洞；

一凸块下金属层，包含第一区块与第二区块，其中该第一区块位于该第二孔洞内，该第二区块位于该聚亚酰胺层之上，其中该凸块下金属层包含：

一种晶层，位于该金属垫片之上并接触该金属垫片；

一铜镀层，位于一金属钛层之上，且该铜镀层的厚度小于5微米；

一镍镀层，位于该铜镀层之上，且该镍镀层的厚度小于3微米；

一第一焊接凸块，位于该镍镀层之上并接触该镍镀层；以及

一第二焊接凸块，与该第一焊接凸块相邻，且该第一焊接凸块与该第二焊接凸块两者的间距不超过150微米，其中该凸块下金属层的第一宽度为该间距的一半再加上一大于5微米的长度，且该第一焊接凸块与该第二焊接凸块两者的凸块高度为该间距的一半再加上一介于5微米和10微米间的长度。

12.根据权利要求11所述的集成电路结构，其特征在于，该第二孔洞具有第二宽度，且该第二宽度介于35％的该第一宽度和50％的该第一宽度之间。

13.根据权利要求11所述的集成电路结构，其特征在于，该第一焊接凸块与该第二焊接凸块包含银，且该第一焊接凸块以及该第二焊接凸块中银的重量百分比均介于1％和2.2％之间。