[发明专利]层压体的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种层压体的形成方法，其连续进行如下工序：硅烷偶联剂处理工序，在金属层表面涂布硅烷偶联剂水溶液，使所得的涂层膜干燥而形成硅烷偶联剂皮膜；层压工序，在所述硅烷偶联剂皮膜上层压树脂层。

背景技术

自先前以来，在印刷电路板的制造中，为了提高由铜或铜合金等金属所形成的导体表面(金属表面)与阻焊剂(solder resist)或预浸料(prepreg)等绝缘树脂的粘着性，一般进行如下工序：在金属表面涂布硅烷偶联剂水溶液等，然后使所得的涂层膜干燥(例如日本专利特开平5-304361号公报、日本专利特开平6-37452号公报、日本专利特开平7-115275号公报、日本专利特开平7-212039号公报、日本专利特开2007-35995号公报等)。

所述硅烷偶联剂水溶液必须首先将硅烷偶联剂溶解于水中，使其水解而生成硅醇基(Si-OH)。该硅醇基和存在于金属表面的羟基反应、结合，由此在金属表面上形成具有与绝缘树脂的粘着性能的硅烷偶联剂皮膜。

在先前的硅烷偶联剂处理工序中，通过每对硅烷偶联剂水溶液处理一定时间(或者一定量)后进行液体交换来防止粘着性能降低。然而，在先前，液体交换的时期由经验法则决定，因此存在尽管能够确保粘着性能也进行液体交换的可能性。因此，无论是经济性方面还是作业效率方面的浪费较大，难以降低制造成本。

另一方面，已知可以根据X射线光电子能谱(X-ray photoelectronspectroscopy，XPS)的表面组成详细分析，测定存在于皮膜表面的Si量，由此来确认是否是所述硅烷偶联剂皮膜可维持粘着性的状态。

然而，在所述XPS测定中，存在如下的问题点：(1)必须在真空条件下进行测定因此需花费时间、(2)装置昂贵、(3)装置的使用者需要进行训练等，特别是基板量产时的硅烷偶联剂皮膜的管理方法难以实施。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而成的，提供一种即使连续进行硅烷偶联剂处理工序，也能够容易地维持与由绝缘树脂等所形成的树脂层的粘着性，并且可降低制造成本的层压体的形成方法。

本发明的第1层压体的形成方法是一种连续进行如下工序的层压体的形成方法：硅烷偶联剂处理工序，在金属层表面涂布硅烷偶联剂水溶液，使所得的涂层膜干燥而形成硅烷偶联剂皮膜；层压工序，在所述硅烷偶联剂皮膜上层压树脂层，其特征在于，

在进行所述硅烷偶联剂处理工序时，利用反射吸收光谱法的FT-IR光谱对所形成的硅烷偶联剂皮膜进行分析，当Si-O的峰面积变得小于规定阈值时，一面更新所述硅烷偶联剂水溶液的至少一部分，而将所述峰面积管理在规定范围内，一面进行硅烷偶联剂处理。

本发明的第2层压体的形成方法是一种连续进行如下工序的层压体的形成方法：硅烷偶联剂处理工序，在金属层表面涂布硅烷偶联剂水溶液，使所得的涂层膜干燥而形成硅烷偶联剂皮膜；层压工序，在所述硅烷偶联剂皮膜上层压树脂层，其特征在于，

在进行所述硅烷偶联剂处理工序时，利用反射吸收光谱法的FT-IR光谱对所形成的硅烷偶联剂皮膜进行分析，当Si-O的峰面积变得小于规定阈值时，变更硅烷偶联剂处理的条件，使所形成的硅烷偶联剂皮膜表面的Si量增加，由此而一面将所述峰面积管理在规定范围内一面进行硅烷偶联剂处理。

本发明的有益效果在于：在本发明中，通过使用反射吸收光谱法(RAS法)的FT-IR(傅立叶转换红外线光谱)作为分析手段，可以在短时间内直接测定存在于硅烷偶联剂皮膜表面的Si量，因此可以在树脂层与金属层的粘着性降低之前，更新硅烷偶联剂水溶液的至少一部分(第1形成方法)、或者使硅烷偶联剂皮膜表面的Si量增加(第2形成方法)。由此即使连续地进行硅烷偶联剂处理工序，也能够容易地维持与树脂层的粘着性。而且，可以及时地掌握硅烷偶联剂皮膜的状态，因此可以防止浪费的液体交换。由此可降低制造成本。

附图说明

图1是用以说明Si-O的峰面积的测定方法的图。

具体实施方式

本发明涉及一种层压体的形成方法，其连续进行如下工序：硅烷偶联剂处理工序，在金属层表面涂布硅烷偶联剂水溶液，使所得的涂层膜干燥而形成硅烷偶联剂皮膜；层压工序，在所述硅烷偶联剂皮膜上层压树脂层。即，以反复进行所述硅烷偶联剂处理工序和所述层压工序的层压体的形成方法为对象。

本发明中所使用的硅烷偶联剂如果是显示出偶联效果的硅烷偶联剂，则可以是任意种硅烷偶联剂。作为特别适于本发明的方法的硅烷偶联剂，自粘着性的观点而言，具有选自环氧基、氨基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基以及乙烯基的至少一个官能基的硅烷偶联剂较为合适。