[发明专利]层压体的形成方法

权利要求书

1.一种层压体的形成方法，其连续进行如下工序：硅烷偶联剂处理工序，在金属层表面涂布硅烷偶联剂水溶液，使所得的涂层膜干燥而形成硅烷偶联剂皮膜；层压工序，在所述硅烷偶联剂皮膜上层压树脂层，其特征在于，

在进行所述硅烷偶联剂处理工序时，利用反射吸收光谱法的傅立叶转换红外线光谱对所形成的硅烷偶联剂皮膜进行分析，当Si-O的峰面积变得小于规定阈值时，一面更新所述硅烷偶联剂水溶液的至少一部分，而将所述峰面积管理在规定范围内，一面进行硅烷偶联剂处理。

2.一种层压体的形成方法，其连续进行如下工序：硅烷偶联剂处理工序，在金属层表面涂布硅烷偶联剂水溶液，使所得的涂层膜干燥而形成硅烷偶联剂皮膜；层压工序，在所述硅烷偶联剂皮膜上层压树脂层，其特征在于，

在进行所述硅烷偶联剂处理工序时，利用反射吸收光谱法的FT-IR光谱对所形成的硅烷偶联剂皮膜进行分析，当Si-O的峰面积变得小于规定阈值时，变更硅烷偶联剂处理的条件，使所形成的硅烷偶联剂皮膜表面的Si量增加，由此而一面将所述峰面积管理在规定范围内一面进行硅烷偶联剂处理。

3.如权利要求2所述的层压体的形成方法，其特征在于，通过提高所述涂层膜的干燥温度来使硅烷偶联剂皮膜表面的Si量增加。

4.如权利要求2或3所述的层压体的形成方法，其特征在于，通过延长所述涂层膜的干燥时间来使硅烷偶联剂皮膜表面的Si量增加。