[发明专利]一种有效减少位错的方法及一种半导体器件无效
| 申请号： | 201010136670.8 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102201361A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 邵丽;巨晓华;易亮 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/318;H01L21/283;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 有效 减少 方法 半导体器件 | ||
1.一种有效减少位错的方法，包括：
提供表面依次形成有第一氧化层，第一氮化层的硅衬底；
刻蚀第一氮化层、第一氧化层和硅衬底，形成浅沟槽；
在所述浅沟槽内填充满介质层，形成隔离结构；
去除所述第一氧化层，第一氮化层；
其特征在于，
在所述浅沟槽内填充氧化物前，在浅沟槽的侧壁和底部形成第二氮化层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氮化层的材料为氮化硅，厚度为60～200埃。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述第二氮化层的方法为化学气相沉积法。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成隔离结构后，还包括：
在隔离结构之间的硅衬底表面上形成形成第一栅极氧化层；
然后在高温条件下，通过低压化学气相沉积法于第一栅极氧化层上形成第二栅极氧化层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成第二氮化层之前，还包括：
在浅沟槽侧壁和底部形成第二氧化层。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二氧化层的材料为氧化硅，所述形成工艺为热氧化工艺或自氧化工艺。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二栅极氧化层的厚度为300～900埃，材料氧化硅。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二栅极氧化层的形成工艺为低压气相沉积法。
9.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述高温范围为600～900℃。
10.一种半导体器件，包括：硅衬底，位于硅衬底内的浅沟槽，填充满浅沟槽的介质层；其特征在于，还包括：
位于浅沟槽的侧壁和底部的第二氮化层。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，还包括：位于浅沟槽侧壁和底部的硅衬底与第二氮化层之间的第二氧化层。
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