[发明专利]基板结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明有关于一种基板结构，特别是有关于一种应用于软性电子元件的基板结构及其制造方法。

背景技术

软性显示器已成为新时代新颖显示器的发展趋势，而发展有源式软性显示器更是主流趋势，世界各大研发公司均由现行厚重且易破碎的玻璃基板跨入非玻璃系且重量更轻的软性塑料基板材料发展，并朝向有源式全彩的TFT显示面板迈进。目前，针对开发有源式软性显示器的技术有a-Si TFT、LPTSTFT及OTFT三种选择，在显示介质的部分包含EPD、ECD、LCD及EL。

在制造方式的选择可以分成batch type及roll to roll两种方式，若选择batch type方式进行TFT元件制造，可利用现有TFT设备进行制作，具有相当优势，但必须发展所谓基板转移或离膜技术，将软性显示器从玻璃上转移到其它塑料基板上或取下。而以roll to roll方式则必须利用全新设备来进行，并必须克服转动及接触所引发的相关问题。

以batch type方式进行制造TFT结构主要有三种方式，一为SEC利用PES当基板转贴于硅芯片上，利用低温a-Si TFT技术开发7”VGA(640×480)plastic LCD，而此法需要一耐高温、低热膨胀系数、低光迟滞性且抗化性佳的高透明基板材料，并配合适当的胶材及良好的离型技术。二为Seiko Epson以LPTS transfer技术进行TFT背板开发，在玻璃基板上进行LPTS TFT背板制作，完成后，Seiko Epson再利用激光退火(laser annealing)。所谓transfer技术主要优点为TFT元件工艺温度不受塑料基板的限制，因此，有较好的特性，故一般具高透光性塑料基板便可以被用来使用，但其transfer机制及转贴技术显得更加重要。另外，第三种为Philips利用聚亚酰胺(PI)涂布于玻璃上，进行a-Si TFT-EPD显示器的开发，并利用transfer技术将PI基板在玻璃上取下。该技术虽然利用传统PI塑料基板而具有耐高温的特性，直接涂布于玻璃上，不但工艺温度可以超过300℃，又可以省去转贴的步骤，但仍必须利用激光去除玻璃基板。

由于与软性基板材料不匹配且热阻低，因此，传统离型层材料并不适合应用于TFT工艺。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种适合应用于软性电子元件的基板结构及其制造方法。

本发明的一实施例提供一种应用于软性电子元件的基板结构，包括：一支撑载体；一离型层，以一第一面积覆盖该支撑载体；以及一软性基板，以一第二面积覆盖该离型层与该支撑载体，其中该第二面积大于该第一面积且该软性基板对该支撑载体的密着度大于该离型层对该支撑载体的密着度。

本发明的一实施例提供一种应用于软性电子元件的基板结构的制造方法，包括：提供一支撑载体；以一第一面积覆盖一离型层于该支撑载体上；以及以一第二面积覆盖一软性基板于该离型层与该支撑载体上，其中该第二面积大于该第一面积且该软性基板对该支撑载体的密着度大于该离型层对该支撑载体的密着度。该制造方法还包括以该离型层的两端点或其内侧为切除点，切除部分该软性基板与该支撑载体，以分离该离型层、该软性基板与该支撑载体。

本发明将离型层材料涂布于支撑载体(例如玻璃基板)上，以形成一或复数个区块。之后，将软性基板材料涂布于离型层与支撑载体上，以形成一双层基板结构，适合应用于软性基板的分离。

本发明提供一种可通过现有半导体设备制作的应用于软性电子元件的基板结构，其利用两种离型层与支撑载体密着度的差异，先将密着度较差的离型层以较小面积成型于支撑载体上，再将与支撑载体密着度较佳的离型层(例如软性显示器基板)以较大面积覆盖在较差密着度的离型层上并与支撑载体有接触。以该方式制作的基板结构，可确保其在TFT工艺中不会脱落，并在完成工艺后，将外边未含密着度较差离型层的部分切除，即可轻易分离密着度较佳的离型层与支撑载体。分离后，密着度较佳的离型层(例如软性显示器基板)仍可保持完整，不致损伤。

附图说明

为使本发明的上述目的、特征及优点能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：

图1是根据本发明的一实施例，一种应用于软性电子元件的基板结构的剖面示意图；

图1A是根据本发明的一实施例，一种应用于软性电子元件的基板结构的上视图；

图2A～2D为本发明的一实施例，一种应用于软性电子元件的基板结构的制造方法的剖面示意图。

【主要元件符号说明】

10：基板结构

12：支撑载体