[发明专利]热电分离的金属载芯片板无效
| 申请号： | 201010133731.5 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194790A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 王湘华 | 申请（专利权）人： | 王湘华 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/34;H01L21/48;H01L33/62;H01L33/64 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热电 分离 金属 芯片 | ||
1.一种热电分离的金属载芯片板结构，至少包含有：
一散热基板，在其一侧平面设有较凹下的承载区以及相对凸出的衔接部；
一介电层，是在所述的散热基板上以转化被覆(Conversion Coating)方式所形成的化合物，并覆设在散热基板的承载区，且所述的介电层在散热基板的衔接部的位置形成了窗口状的导热区，且所述的导热区与散热基板的衔接部相对应设置；
一电性导通层，设在介电层上。
2.根据权利要求1所述的热电分离的金属载芯片板结构，其特征在于：所述的散热基板为铝材基板。
3.根据权利要求1所述的热电分离的金属载芯片板结构，其特征在于：所述的导热区为复数个。
4.根据权利要求1所述的热电分离的金属载芯片板结构，其特征在于：所述的导热区为长条形。
5.根据权利要求1所述的热电分离的金属载芯片板结构，其特征在于：所述的导热区为方形。
6.根据权利要求1所述的热电分离的金属载芯片板结构，其特征在于：在所述的散热基板的衔接部上涂设有半导体导热胶。
7.根据权利要求1所述的热电分离的金属载芯片板结构，其特征在于：所述的导热区位置设置有芯片。
8.根据权利要求1所述的热电分离的金属载芯片板结构，其特征在于：所述的衔接部上覆设有溅镀层。
9.根据权利要求1所述的热电分离的金属载芯片板结构，其特征在于：所述的介电层与电性导通层间设有溅镀层。
10.根据权利要求1所述的热电分离的金属载芯片板结构，其特征在于：所述的散热基板的导热区是几何形状。
11.一种热电分离的金属载芯片板制造方法，其特征在于，其步骤有：
(1)制作一金属散热基板，并在所述的散热基板的一部分位置涂上遮蔽层；
(2)将散热基板上无遮蔽层的部分，以转化被覆(Conversion Coating)方式形成一定深度的介电层，并使所述的介电层在散热基板上围成有至少一个导热区，用来放置芯片；而散热基板相对于导热区形成有衔接部；
(3)去掉遮蔽层，并整平散热基板的表面；
(4)在散热基板的衔接部上，涂设半导体导热胶，并在所述的介电层上布设电性导通层；
(5)衔接部的半导体导热胶上方设置芯片，并与电性导通层作导线跨距联接，使导热和导电能因经由不同路径导体分离。
12.根据权利要求11所述的热电分离的金属载芯片板制造方法，其特征在于：所述的介电层为阳极氧化铝(即AAO)。
13.根据权利要求11所述的热电分离的金属载芯片板制造方法，其特征在于：第(3)步骤的整平散热基板的表面之后，插入有涂设溅镀层的程序。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于王湘华，未经王湘华许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010133731.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：菱镁隔离栅材料、菱镁隔离栅立柱及其生产方法
- 下一篇：一种玻化彩砂的制备工艺
