[发明专利]一种电容

权利要求书

1.一种芯片上电容，所述芯片包括有多个层，其特征在于，其包括：

形成于第一层上的相互间隔的第一导电部和第二导电部；

形成于第二层上的相互间隔的第三导电部和第四导电部；

形成于第三层上的相互间隔的第五导电部和第六导电部；

其中，第一层、第二层和第三层是芯片上的连续的三个层，

第一导电部与第三导电部至少部分重叠且相互电性连接，所述第三导电部与第五导电部至少部分重叠且相互电性连接，第一导电部、第三导电部和第五导电部的投影图形相同，

第二导电部与第四导电部部分重叠且相互电性连接，所述第四导电部与第六导电部部分重叠且相互电性连接，第二导电部、第四导电部和第六导电部的投影图形相同。

2.如权利要求1所述的电容，其特征在于，第一导电部、第三导电部和第五导电部共同形成了所述电容的一个电极，第二导电部、第四导电部和第六导电部共同形成了所述电容的另一个电极。

3.如权利要求1所述的电容，其特征在于，第一导电部和第二导电部之间的间距、第三导电部和第四导电部之间的间距与第五导电部和第六导电部之间的间距相等。

4.如权利要求3所述的电容，其特征在于，第三导电部和第四导电部的厚度大于第三导电部和第四导电部之间的间距。

5.如权利要求1-4任一项所述的电容，其特征在于，

第一导电部包括有相互间隔、平行且电性连接的数个第一导电条，第二导电部包括有相互间隔、平行且电性连接的数个第二导电条，第一导电条和第二导电条间隔、平行且交替排布，

第三导电部包括有相互间隔、平行且电性连接的数个第三导电条，第四导电部包括有相互间隔、平行且电性连接的数个第四导电条，第三导电条和第四导电条间隔、平行且交替排布，

第五导电部包括有相互间隔、平行且电性连接的数个第五导电条，第六导电部包括有相互间隔、平行且电性连接的数个第六导电条，第五导电条和第六导电条间隔、平行且交替排布。

6.如权利要求1-4任一项所述的电容，其特征在于，第一层为金属层，第二层为通孔层，第三层也为金属层。

7.如权利要求1-4任一项所述的电容，其特征在于，第一层为多晶硅层，第二层为接触孔层，第三层为金属层。

8.一种芯片上电容，所述芯片包括有多个层，其特征在于，其包括：

形成于第一层上的相互间隔、平行且电性连接的数个第一导电条；

形成于第一层上的相互间隔且平行的数个第二导电条，其中第一导电条与第二导电条间隔、平行且交替排布；

形成于第二层上的相互间隔、平行且电性连接的数个第三导电条，其中第三导电条与第一导电条平行且电性连接；

形成于第二层上的相互间隔、平行且电性连接的数个第四导电条，其中第三导电条与第四导电条间隔、平行且交替排布，第四导电条与第二导电条平行且电性连接；

形成于第三层上的相互间隔、平行且电性连接的数个第五导电条，其中第五导电条与第三导电条平行且电性连接；

形成于第三层上的相互间隔、平行且电性连接的数个第六导电条，其中第五导电条与第六导电条间隔、平行且交替排布，第六导电条与第四导电条平行且电性连接，

其中，第一层、第二层和第三层是芯片上的连续的三个层。

9.如权利要求8所述的电容，其特征在于，第一导电条、第三导电条和第五导电条的投影图形相同，第二导电条、第四导电条和第六导电条的投影图形相同。

10.如权利要求8所述的电容，其特征在于，第一导电条和相邻第二导电条之间的间距、第三导电条和相邻第四导电条之间的间距与第五导电条和相邻第六导电条之间的间距相等。

11.如权利要求8所述的电容，其特征在于，第三导电条和第四导电条的厚度大于第三导电条和相邻第四导电条之间的间距。

12.如权利要求8-11任一项所述的电容，其特征在于，第一层为金属层，第二层为通孔层，第三层也为金属层。

13.如权利要求8-11任一项所述的电容，其特征在于，第一层为多晶硅层，第二层为接触孔层，第三层为金属层。