[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 201010131795.1 | 申请日： | 2010-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102201350A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 孙武;尹晓明;张海洋;武咏琴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤：
提供待蚀刻的晶片，所述晶片顶层形成有一金属层；
在待蚀刻的晶片上涂覆第一光致抗蚀剂层；
对涂覆有所述第一光致抗蚀剂层的晶片进行第一次曝光和显影，以形成第一图案；
对所述第一次显影后的晶片进行第一次蚀刻，以蚀刻掉所述金属层的第一部分；
去除所述第一光致抗蚀剂层；
对所述晶片进行湿法清洗；
在所述晶片上涂覆第二光致抗蚀剂层；
对涂覆有所述第二光致抗蚀剂层的晶片进行第二次曝光和显影，以形成第二图案；
对所述第二次显影后的晶片进行第二次蚀刻，以蚀刻掉所述金属层的第二部分；
去除所述第二光致抗蚀剂层；以及
对所述晶片进行湿法清洗。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，构成所述金属层的材料包括铝。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，构成所述金属层的材料还包括硅、铜、钛和氮化钛中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一图案与所述第二图案重叠。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层的所述第一部分与所述金属层的所述第二部分不重叠。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层的所述第一部分占整个所述金属层的面积比率与所述金属层的所述第二部分占整个所述金属层的面积比率相同。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层的所述第一部分占整个所述金属层的面积比率与所述金属层的所述第二部分占整个所述金属层的面积比率不同。
8.根据权利要求6或7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层的所述第一部分占整个所述金属层的面积比率不超过50％。
9.根据权利要求6或7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层的所述第二部分占整个所述金属层的面积比率不超过50％。
10.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一次蚀刻的源气体包括Cl2、BCl3和CHF3，其中，Cl2的流速为50～500sccm，BCl3的流速为50～500sccm，且CHF3的流速为0～50sccm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
