[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201010131765.0 | 申请日： | 2010-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102201365B | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 孙武;尹晓明;黄怡;武咏琴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;G03F7/09 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：
在半导体衬底上沉积一有机介电层，所述有机介电层为底部抗反射 层；
在所述有机介电层上形成一硬掩膜层；
在所述硬掩膜层上涂覆一光致抗蚀剂层；以及
对所述光致抗蚀剂层执行构图工艺以形成图案，
其中，所述形成一硬掩膜层包括：
在所述有机介电层上形成第一硬掩膜；以及在所述第一硬掩膜上形成 第二硬掩膜，其中所述第二硬掩膜直接位于所述第一硬掩膜之上并与所述 第一硬掩膜共同构成双硬掩膜层；所述第一硬掩膜由低温氧化物构成，所 述第二硬掩膜由含硅抗反射材料构成。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于， 所述第一硬掩膜是在210℃的温度下以SiH4和N2O的混合气体为源气体通 过化学气相沉积法而形成的。
3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于， 所述第一硬掩膜的厚度为
4.根据权利要求3所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于， 所述第一硬掩膜的厚度为
5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于， 所述第二硬掩膜是通过旋涂法形成的。
6.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于， 所述旋涂法中旋涂的转速为250转每秒，时间为25秒。
7.根据权利要求5所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于， 所述第二硬掩膜的厚度为
8.根据权利要求7所述的用于制造半导体器件的方法，其特征在于， 所述第二硬掩膜的厚度为
9.一种包含通过根据权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成 电路，其中所述集成电路选自动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、 静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列和射频电路。
10.一种包含通过根据权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电 子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人 数字助理、摄像机和数码相机。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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