[发明专利]一种晶圆检测结构及其制作方法、晶圆检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件检测领域，尤其涉及一种晶圆检测结构及其制作方法、晶圆检测方法。

背景技术

半导体工艺技术中，需要用到各种各样的测试结构(制程监控PCM测试图形)，用于在对客户的晶圆(整个晶圆中即最终将封装为成品芯片的部分)品质进行评测。如图1所示，为了达到对客户的晶圆品质进行检测并且检测过程不会对客户的晶圆产生不良影响的目的，晶圆的测试结构一般都位于客户晶圆区域之外的切割道中。

目前广泛应用于半导体金属间漏电监测的测试结构，是在客户的晶圆制作金属层时，在切割道中做出测试用的金属层(也称漏电检测层)，在对客户晶圆电参数测试时，由于客户的晶圆结构复杂，虽然测试结构中漏电检测层的金属间未出现短路情况，但有可能客户的晶圆中已经出现了电路短路的情况，通过对漏电检测层进行是否短路的检测，有的时候并不能一定准确地反映客户的晶圆中各种复杂电路是否短路的结果，造成在电参数测试时，不能及早地发现客户的晶圆出现的电路短路的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种晶圆检测结构及其制作方法、晶圆检测方法，用以实现对客户的晶圆的电路短路的问题进行准确的检测。

本发明实施例提供的一种晶圆检测结构，位于晶圆的切割道中，该检测结构从下到上依次包括：

包含有源区和场氧区的场氧层，至少一个多晶硅层，以及包含两个相对布置的梳状金属条及分别与两个所述梳状金属条相连的金属触点的漏电检测层。

本发明实施例提供的一种晶圆检测结构制作方法，包括：

晶圆的切割道中，依次形成包含有源区和场氧区的场氧层，至少一个多晶硅层，以及包含两个相对布置的梳状金属条及分别与两个所述梳状金属条相连的金属触点的漏电检测层。

本发明实施例提供的一种使用前述的晶圆测试结构对晶圆进行检测的方法，包括：

分别在晶圆测试结构的漏电检测层中的两个金属触点施加电压进行电性检测；

若有电流通过，则确定该晶圆电路有短路缺陷；

若否，则确定该晶圆电路无短路缺陷。

本发明实施例的有益效果包括：

本发明实施例提供的晶圆检测结构及其制作方法、晶圆检测方法中，包含有源区和场氧区的场氧层(Field Oxidation)，至少一个多晶硅层以及包含两个相对布置的梳状金属条及两个金属条相连的金属触点的导电层，本发明实施例提供的晶圆检测结构，与现有晶圆电参数检测使用的检测结构相比，不仅包含了能够反映金属布线工艺步骤对金属条间短路可能造成影响的结构，还包含了金属布线工艺之前形成有源区、形成多晶硅的工艺步骤对金属条间短路可能造成影响的结构，因此，晶圆检测结构可以综合性地反映形成有源区、形成多晶硅的工艺和金属布线工艺对金属条间短路的影响，囊括了现有客户的晶圆芯片设计金属布线工艺中的各种复杂结构，使得在对该检测结构进行检测时，如果出现缺陷状况，则可以准确地定位客户的晶圆部分也同样出现了缺陷，检测结果更准确。

附图说明

图1为现有技术中整个晶圆的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的晶圆的各层中划分9个区域的示意图；

图3为本发明实施例提供的场氧层的9个区间的具体结构示意图；

图4为本发明实施例提供的多晶硅层的9个区间的具体结构示意图；

图5为本发明实施例提供的导电层的9个区间的具体结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图，用对本发明提供的一种晶圆检测结构及其制作方法、晶圆检测方法的具体实施方式进行详细的说明。

考虑到在亚微米技术领域，后序工艺步骤容易受到前序工艺步骤的影响，例如漏电检测层中金属条之间短路，其检测结果可能不仅仅是由于受到形成金属布线的工艺步骤中各金属条之间的间距的影响，还有可能是由于受到造成晶片表面的高低差的前序工艺步骤的影响。

以单多晶单金属布线的产品为例，如果对漏电检测层进行检测出现短路，其检测结果除了受到金属布线的工艺步骤的影响，还可能受到在金属布线工艺步骤之前的形成有源区的工艺步骤和形成单层多晶硅的工艺步骤的影响。以双多晶单金属布线的产品为例，如果对漏电检测层进行检测出现短路，其检测结果除了受到金属布线工艺步骤的影响，还可能受到形成两个多晶硅层的步骤的影响。基于此，本发明实施例提供的晶圆检测结构，不仅包括能够反映金属布线工艺步骤情况的漏电检测层，还包括能够反映形成有源区的工艺步骤情况的场氧层(Field Oxidation)，以及能够反映形成多晶硅的工艺步骤情况的两个多晶硅层。