[发明专利]一种晶圆检测结构及其制作方法、晶圆检测方法

权利要求书

1.一种晶圆检测结构，位于晶圆的切割道中，其特征在于，该检测结构从下到上依次包括：

包含有源区和场氧区的场氧层，至少一个多晶硅层，以及包含两个相对布置的梳状金属条及分别与两个所述梳状金属条相连的金属触点的漏电检测层。

2.如权利要求1所述的晶圆检测结构，其特征在于，所述场氧层，包括：有源区AA、场氧区Non-AA以及由条形有源区与场氧区相互间隔形成的区域AA pitch。

3.如权利要求1所述的晶圆检测结构，其特征在于，每个多晶硅层，包括：多晶硅Ploy区域，非多晶硅Non-ploy区域以及条形多晶硅与沟槽相互间隔形成的区域Poly-pitch。

4.如权利要求2或3所述的晶圆检测结构，其特征在于，所述漏电检测层和场氧层之间，还包括：至少一个金属导电层。

5.如权利要求4所示的晶圆检测结构，其特征在于，每个金属导电层，包括：

金属区Metal、非金属区Non-Metal以及条形金属与沟槽相互间隔形成的区域Metal Pitch。

6.如权利要求5所述的晶圆检测结构，其特征在于，在所述场氧层、每个多晶硅层、每个金属导电层和漏电检测层内划分出3^n-1个区域，所述n为该晶圆检测结构的总层数；

所述场氧层的3^n-1个区域中，为AA、Non-AA和AA pitch的区域各占总数的1/3；

所述多晶硅层的3^n-1个区域中，为Poly、Non-ploy和poly-pitch的区域各占总数的1/3；

所述金属导电层的3^n-1个区域中，为Metal、Non-Metal和Metal Pitch的区域占总数的1/3；

所述漏电检测层上的两个梳状金属条横跨其3^n-1个区域，所述金属触点分别布置在其3^n-1个区域的两侧。

7.一种晶圆检测结构制作方法，其特征在于，包括：

晶圆的切割道中，依次形成包含有源区和场氧区的场氧层，至少一个多晶硅层，以及包含两个相对布置的梳状金属条及分别与两个金属条相连的金属触点的漏电检测层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

在漏电检测层和场氧层之间形成至少一个金属导电层。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述场氧层，包括：

在场氧层内划分出3^n-1个区域，所述n为该晶圆检测结构的总层数；

在场氧层的3^n-1个区域中，部分形成有源区AA，部分形成场氧区Non-AA，部分形成由条形有源区与场氧区相互间隔形成的区域AA pitch；且形成AA、Non-AA和AApitch的区域总数相等。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成多晶硅层，包括：

在每个多晶硅层内划分出3^n-1个区域，所述n为该晶圆检测结构的总层数；

在每个多晶硅层的3^n-1个区域中，部分形成多晶硅Ploy区域，部分形成非多晶硅Non-ploy区域，部分形成条形多晶硅与沟槽相互间隔形成的区域poly-pitch，且形成Ploy、Non-ploy和poly-pitch的区域总数相等。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，形成金属导电层，包括：

在每个金属导电层内划分出3^n-1个区域，所述n为该晶圆检测结构的总层数；

在场氧层的3^n-1个区域中，部分形成多金属区Metal，部分形成非金属区Non-Metal，部分形成条形金属与沟槽相互间隔形成的区域Metal Pitch，且形成Metal`、Non-Metal和Metal Pitch的区域总数相等。