[发明专利]镍钛形状记忆合金表面的氧化物纳米管阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201010127204.3 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101775634A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 丁冬雁;秦锐;宁聪琴;朱邦尚;李明;毛大立 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C25D11/34 | 分类号： | C25D11/34;C25D11/26 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形状 记忆 合金 表面 氧化物 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种镍钛形状记忆合金表面的氧化物纳米管阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一，取镍钛形状记忆合金为阳极氧化基材，配制阳极氧化介质；
所述阳极氧化介质的组分为乙二醇、硫酸铵、氟化铵和丙三醇；或者为氟化铵、丙三醇；
步骤二，调整阳极氧化电压的范围为10V～50V，氧化，即可在镍钛形状记忆合金表面得到氧化物纳米管阵列。
2.根据权利要求1所述的镍钛形状记忆合金表面的氧化物纳米管阵列的制备方法，其特征是，步骤一中，所述阳极氧化介质的组分及含量具体为：体积分数为1.0～10％的乙二醇，0～1.0M的硫酸铵，0.05～1.0M的氟化铵，余量为丙三醇。
3.根据权利要求1所述的镍钛形状记忆合金表面的氧化物纳米管阵列的制备方法，其特征是，步骤一中，所述阳极氧化介质的组分及重量百分比具体为：0.1～2wt％的氟化铵，余量为丙三醇。
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