[发明专利]芯片封装结构的制造方法有效
申请号: | 201010126422.5 | 申请日: | 2010-02-23 |
公开(公告)号: | CN102163558A | 公开(公告)日: | 2011-08-24 |
发明(设计)人: | 王盟仁 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/58 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 中国台湾高雄市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种芯片封装结构的制造方法,包括:
(a)提供一基材,该基材具有一第一表面、一第二表面、至少一导电孔及至少一第一凸块,该导电孔位于该基材内,该第一凸块位于该第二表面,且电性连接至该导电孔的第一端部;
(b)设置该基材于一载体上,其中该基材的第二表面面对该载体;
(c)从该基材的第一表面移除部分该基材,以显露该导电孔的第二端部于该基材的一第三表面,并形成至少一穿导孔于该基材;
(d)设置数个芯片于该基材的第三表面,这些芯片电性连接至该基材的穿导孔;
(e)形成一包覆材于该基材的部分第三表面,并包覆这些芯片;
(f)移除该载体;
(g)进行覆晶接合工艺,使得该基材的第一凸块接触一承载组件;
(h)移除该包覆材;及
(i)形成一保护材于该承载组件上,并至少包覆该基材的第一凸块。
2.如权利要求1的方法,其中该步骤(a)中,该基材为一晶圆,具有一硅基材及一主动线路层,该硅基材具有该第一表面、一底面及该孔洞,该底面相对于该第一表面,该孔洞贯穿该硅基材,且该导电孔位于该硅基材内,该主动线路层位于该硅基材的底面,电性连接该导电孔及该第一凸块,且具有该第二表面。
3.如权利要求1的方法,其中该步骤(a)中,该基材为一硅基材,该导电孔的第一端部显露于该第二表面。
4.如权利要求1的方法,其中该步骤(c)中,利用研磨或化学机械抛光方法移除部分该基材。
5.如权利要求1的方法,其中该步骤(c)之后,该基材的厚度小于50微米。
6.如权利要求1的方法,其中该步骤(d)中,这些芯片包括一主动面及至少一第二凸块,该第二凸块位于该主动面,且这些芯片通过该第二凸块电性连接至该基材的穿导孔。
7.如权利要求1的方法,其中该步骤(e)中,该包覆材为一可剥离式黏着剂。
8.如权利要求1的方法,其中该步骤(e)中,利用旋转涂布方法形成该包覆材。
9.如权利要求1的方法,其中该步骤(g)前,先进行一切割工艺,以形成数个次封装单元,再进行该步骤(g)的覆晶接合工艺,设置这些次封装单元于该承载组件上,接着进行该步骤(h),移除该包覆材,以形成数个芯片封装单元,这些芯片封装单元包括该芯片及该基材。
10.如权利要求1的方法,其中先进行该步骤(h),移除该包覆材,接着进行一切割工艺,以形成数个分离的芯片封装单元,这些芯片封装单元包括该芯片及该基材,再进行该步骤(g)的覆晶接合工艺,设置这些芯片封装单元于该承载组件上,使得该基材的第一凸块接触一承载组件。
11.如权利要求1的方法,其中该步骤(h)中,直接撕除该包覆材、利用一溶剂蚀刻该包覆材、加热以移除该包覆材或提供紫外线以移除该包覆材。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造