[发明专利]芯片封装结构的制造方法有效

专利信息
申请号: 201010126422.5 申请日: 2010-02-23
公开(公告)号: CN102163558A 公开(公告)日: 2011-08-24
发明(设计)人: 王盟仁 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/58
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种芯片封装结构的制造方法,包括:

(a)提供一基材,该基材具有一第一表面、一第二表面、至少一导电孔及至少一第一凸块,该导电孔位于该基材内,该第一凸块位于该第二表面,且电性连接至该导电孔的第一端部;

(b)设置该基材于一载体上,其中该基材的第二表面面对该载体;

(c)从该基材的第一表面移除部分该基材,以显露该导电孔的第二端部于该基材的一第三表面,并形成至少一穿导孔于该基材;

(d)设置数个芯片于该基材的第三表面,这些芯片电性连接至该基材的穿导孔;

(e)形成一包覆材于该基材的部分第三表面,并包覆这些芯片;

(f)移除该载体;

(g)进行覆晶接合工艺,使得该基材的第一凸块接触一承载组件;

(h)移除该包覆材;及

(i)形成一保护材于该承载组件上,并至少包覆该基材的第一凸块。

2.如权利要求1的方法,其中该步骤(a)中,该基材为一晶圆,具有一硅基材及一主动线路层,该硅基材具有该第一表面、一底面及该孔洞,该底面相对于该第一表面,该孔洞贯穿该硅基材,且该导电孔位于该硅基材内,该主动线路层位于该硅基材的底面,电性连接该导电孔及该第一凸块,且具有该第二表面。

3.如权利要求1的方法,其中该步骤(a)中,该基材为一硅基材,该导电孔的第一端部显露于该第二表面。

4.如权利要求1的方法,其中该步骤(c)中,利用研磨或化学机械抛光方法移除部分该基材。

5.如权利要求1的方法,其中该步骤(c)之后,该基材的厚度小于50微米。

6.如权利要求1的方法,其中该步骤(d)中,这些芯片包括一主动面及至少一第二凸块,该第二凸块位于该主动面,且这些芯片通过该第二凸块电性连接至该基材的穿导孔。

7.如权利要求1的方法,其中该步骤(e)中,该包覆材为一可剥离式黏着剂。

8.如权利要求1的方法,其中该步骤(e)中,利用旋转涂布方法形成该包覆材。

9.如权利要求1的方法,其中该步骤(g)前,先进行一切割工艺,以形成数个次封装单元,再进行该步骤(g)的覆晶接合工艺,设置这些次封装单元于该承载组件上,接着进行该步骤(h),移除该包覆材,以形成数个芯片封装单元,这些芯片封装单元包括该芯片及该基材。

10.如权利要求1的方法,其中先进行该步骤(h),移除该包覆材,接着进行一切割工艺,以形成数个分离的芯片封装单元,这些芯片封装单元包括该芯片及该基材,再进行该步骤(g)的覆晶接合工艺,设置这些芯片封装单元于该承载组件上,使得该基材的第一凸块接触一承载组件。

11.如权利要求1的方法,其中该步骤(h)中,直接撕除该包覆材、利用一溶剂蚀刻该包覆材、加热以移除该包覆材或提供紫外线以移除该包覆材。

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