[发明专利]形成集成电路结构的方法

权利要求书

1.一种形成位于一芯片上的一集成电路结构的方法，包括下列步骤：

从该集成电路结构的一设计取出一有源层，其中该有源层包括具有一扩 散区的一有源图案；

形成与该有源层形状一致的至少一保护带，其中该保护带为一虚设扩散 层，该保护带围绕该有源层且不具有裂缝，且该保护带与该有源层相隔沿一 X轴方向的一第一固定间距以及沿一Y轴方向的一第二固定间距；

移除违反设计规则的该保护带的任何部分；

移除该保护带的凸角；以及

于该保护带外侧的该芯片的一剩余空间中增加虚设扩散图案。

2.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，还包括：

于形成该保护带之前增加一遮蔽层，其中于该遮蔽层里不增加该虚设扩 散图案。

3.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中该第一固定间距 与用于该集成电路结构的一电性参数模型特性描述的沿该X轴方向的一第 三固定间距相同，其中该第二固定间距与用于该集成电路结构的一电性参数 模型特性描述的沿该Y轴方向的一第四固定间距相同。

4.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，还包括切断长于一特 定长度的该保护带，其中该长度由设计规则决定。

5.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中该虚设扩散图案 具有不同的粒度。

6.如权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中增加该虚设扩散 图案以使遍及该芯片的一扩散区的密度均一。

7.一种形成位于一芯片上的一集成电路结构的方法，包括下列步骤：

从该集成电路结构的一设计取出一有源层，其中该有源层包括具有一扩 散区的一有源图案；

形成与该有源层形状一致的至少一保护带，其中该保护带为一虚设扩散 层，该保护带围绕该有源层，且该保护带与该有源层相隔沿一X轴方向的一 第一固定间距以及沿一Y轴方向的一第二固定间距，且为了具有一连续的保 护带，在凸角处不需设置保护带；以及

于该保护带外侧的该芯片的一剩余空间中增加虚设扩散图案。

8.如权利要求7所述的形成集成电路结构的方法，还包括移除违反设计 规则的该保护带的任何部分。

9.如权利要求7所述的形成集成电路结构的方法，还包括：

于形成该保护带之前增加一遮蔽层，其中于该遮蔽层里不增加该虚设扩 散图案。

10.如权利要求7所述的形成集成电路结构的方法，其中该第一固定间 距与用于该集成电路结构的一电性参数模型特性描述的沿该X轴方向的一 第三固定间距相同，其中该第二固定间距与用于该集成电路结构的一电性参 数模型特性描述的沿该Y轴方向的一第四固定间距相同。

11.如权利要求7所述的形成集成电路结构的方法，其中如果该保护带 长于一特定长度，则切开该保护带，其中该长度由设计规则决定。