[发明专利]背照式图像感测器及其制造方法

权利要求书

1.一种背照式图像感测器的制造方法，包括：

提供一半导体基板，具有一前侧表面与一背侧表面；

对该半导体基板的该前侧表面实施一离子注入工艺，以于该半导体基板 中形成一保护环结构，该保护环结构具有一第一深度，该离子注入工艺具有 一能量，大于500keV；以及

形成至少一图像感测元件于该半导体基板的该前侧表面上，该至少一图 像感测元件为该保护环结构所包围。

2.如权利要求1所述的背照式图像感测器的制造方法，还包括于形成该 保护环结构后，对该半导体基板进行一回火，以及于该回火后，于该半导体 基板的该前侧表面上形成一多层内连线结构，以与该至少一图像感测元件形 成电性连接。

3.如权利要求2所述的背照式图像感测器的制造方法，还包括自该半导 体基板的该背侧表面移除材料，以降低该半导体基板的一厚度至一预定厚 度。

4.如权利要求3所述的背照式图像感测器的制造方法，其中降低该半导 体基板的该厚度直至露出该保护环结构。

5.一种背照式图像感测器的制造方法，包括：

提供一半导体基板，具有一像素区与一周边电路区；

对该半导体基板实施一离子注入，以于该像素区中形成一保护环结构， 其中该保护环结构延伸进入该半导体基板，达到一第一深度；

形成至少一图像感测元件于该半导体基板的该像素区上，该至少一图像 感测元件为该保护环结构所包围；以及

对该半导体基板实施一离子注入，以于该周边电路区中形成一阱，其中 该阱延伸进入该半导体基板，达到一第二深度，其中该第一深度大于该第二 深度。

6.如权利要求4所述的背照式图像感测器的制造方法，其中形成该保护 环结构的该离子注入具有一能量，大于500keV。

7.如权利要求4所述的背照式图像感测器的制造方法，还包括于形成该 保护环结构后，对该半导体基板进行一回火。

8.如权利要求4所述的背照式图像感测器的制造方法，还包括于该半导 体基板上形成一多层内连线结构，以与该至少一图像感测元件形成电性连 接。

9.如权利要求4所述的背照式图像感测器的制造方法，还包括降低该半 导体基板的一厚度至一预定厚度，该预定厚度相等于该保护环结构的该第一 深度。

10.一种背照式图像感测器，包括：

一半导体基板，具有一像素区与一周边电路区；

多个图像感测元件，形成于该像素区内，于该半导体基板的一前侧表面 上；

一离子注入保护环结构，形成于该像素区中，其中该离子注入保护环结 构具有一第一深度，延伸进入该半导体基板并包围每一该图像感测元件；以 及

一离子注入阱，形成于该周边电路区中，其中该离子注入阱具有一第二 深度，延伸进入该半导体基板，其中该第一深度大于该第二深度。

11.如权利要求10所述的背照式图像感测器，其中该离子注入保护环结 构为一p阱。

12.如权利要求10所述的背照式图像感测器，其中该离子注入阱为一p 阱。

13.如权利要求10所述的背照式图像感测器，其中该离子注入阱为一n 阱。

14.如权利要求10所述的背照式图像感测器，其中该离子注入保护环结 构自该半导体基板的该前侧表面延伸至该半导体基板的一背侧表面。