[发明专利]晶圆级镜头模块及其制造方法、晶圆级摄影机无效
申请号: | 201010124861.2 | 申请日: | 2010-03-01 |
公开(公告)号: | CN102194835A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 薛全钦 | 申请(专利权)人: | 奇景光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏;夏青 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 镜头 模块 及其 制造 方法 摄影机 | ||
技术领域
本发明涉及一种晶圆级(wafer level)镜头模块及其相关制造方法,尤其涉及一种用以消除/减少不必要的杂散(stray)光的晶圆级镜头模块以及相关制造方法。
背景技术
随着光学科技的进步,影像撷取装置在各种不同产品的应用上也广受欢迎,举例来说,除了数字相机之外,一些移动装置:如手机、个人数字助理(personal digital assistant,PDA)以及笔记型计算机(notebook,NB)亦具有影像撷取功能的装置安装于其内。
镜头模块是影像撷取装置中最重要的元件之一,然而,设置于镜头模块之下的影像传感器(image sensor)会受到杂散光的影响,因而导致噪声的产生或影像对比的恶化。因此,如何有效地避免影像传感器接收到不必要的杂散光而增强影像撷取装置的整体效能,便成为相关产业中一个待解决的重要议题。
发明内容
因此,本发明的目的之一在于提供一种晶圆级镜头模块、晶圆级摄影机以及相关的制造方法,以解决上述问题。
依据本发明的一实施例,其提供一种晶圆级镜头模块。该晶圆级镜头模块包括第一光学层、间隔层以及第二光学层。该间隔层设置于该第一光学层之上,并具有穿透其中的孔洞,用以透光,其中该孔洞的表面大致上避免了光反射,以及该第二光学层设置于该间隔层上。
依据本发明的另一实施例,其提供一种晶圆级摄影机。该晶圆级摄影机包括影像传感器、间隔层以及晶圆级镜头模块。该间隔层设置于该影像传感器之上,并具有穿透其中的孔洞,用以透光,其中该孔洞的表面大致上避免了光反射,以及该晶圆级镜头模块设置于该间隔层之上。
依据本发明的另一实施例,其提供一种制造晶圆级镜头模块的方法。该方法包括下列步骤:提供第一光学层、间隔层以及第二光学层,其中一孔洞穿透该间隔层以透光;将该间隔层设置于该第一光学层上,以及将该第二光学层设置于该间隔层上;以及将特定薄膜层设置于该孔洞的表面上。
依据本发明的另一实施例,其提供一种制造晶圆级镜头模块的方法。该方法包括下列步骤:提供第一光学层、间隔层以及第二光学层;将该间隔层设置于该第一光学层上,以及将该第二光学层设置于该间隔层上;以及使穿透该间隔层的孔洞具有粗糙表面。
附图说明
图1为本发明第一实施例的晶圆级摄影机的结构剖面图;
图2为图1中晶圆级摄影机内的间隔层的局部放大图;
图3为本发明第二实施例的晶圆级摄影机的结构剖面图;
图4为图3中晶圆级摄影机内的间隔层的局部放大图;
图5为本发明制造晶圆级镜头模块的方法的一个实施例的流程图;以及
图6为本发明制造晶圆级镜头模块的方法的另一实施例的流程图。
【主要元件符号说明】
100、300 晶圆级摄影机
110、310 影像传感器
120、132、134、320、332、334 间隔层
130、330 晶圆级镜头模块
131、133、331、333 透镜载板
135、335 光圈
140 特定薄膜层
具体实施方式
在说明书及权利要求书中使用了某些词汇来指称特定的元件。所属领域的技术人员应可理解,硬件制造商可能会用不同的名词来称呼同样的元件。本说明书及权利要求书并不以名称的差异来作为区分元件的方式,而是以元件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及权利要求书的权利要求中所提及的「包括」为一开放式的用语,应解释成「包括但不限于」。另外,「耦接」一词在此包括任何直接及间接的电气连接手段。因此,如果文中描述第一装置耦接于第二装置,则表示该第一装置可直接电气连接于该第二装置,或通过其它装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的