[发明专利]一种半导体成膜装置装载腔

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体成膜装置中的装载腔。

背景技术

半导体制造工艺中，成膜装置用于在晶圆表面生长膜层。通常成膜装置包括成膜工艺腔、装载腔以及位于所述成膜工艺腔和装载腔之间的晶圆传送腔。

所述成膜工艺腔是对半导体晶圆成膜的场所。所述装载腔是用来装载晶圆，并实现大气和真空环境转换的场所，装载腔具有进气管道和排气管道。所述晶圆传送腔是用来在所述装载腔和所述成膜工艺腔中传送晶圆的场所。

图1为现有技术的装载腔的结构示意图。如图1所示，该装载腔包括腔体100和顶盖101，所述腔体100侧壁上具有晶圆进入口(图中未示)和晶圆送出口(图中未示)。所述装载腔还具有供气通道102、气压平衡通道103和排气通道104，所述供气通道102由所述腔体100外进入所述腔体100的侧壁，贯穿所述腔体100的侧壁和所述顶盖101，再通过气压缓冲装置111，穿过所述顶盖101进入所述腔体100；所述气压平衡通道103和所述排气通道104由所述腔体100内经由所述腔体100的侧壁延伸至所述腔体100外，所述气压平衡通道103的排气口位于所述腔体100的上方位置，所述排气通道104的排气口位于所述腔体100的下方位置；所述供气通道102和所述气压平衡通道103分别通过阀门105和阀门106控制其通道的开关，所述排气通道104上设置有泵107，通过所述泵107将所述腔体100内的气体抽出。所述供气通道102、所述气压平衡通道103和所述排气通道104用于实现所述装载腔中的真空和大气环境转换。通过所述供气通道向所述装载腔内供给氮气，打开所述阀门106，使所述装载腔内的空气通过所述气压平衡通道103排出，并通过所述气压平衡通道103实现所述装载腔内的氮气气压与大气压的平衡。所述装载腔内安装有承载晶圆的平台108，晶圆由所述晶圆进入口进入所述装载腔，再由所述晶圆送出口离开所述装载腔，经所述晶圆传送腔进入所述成膜工艺腔中。

因所述装载腔内的洁净度的要求很高，对所述装载腔需进行定期清洁，所述装载腔的顶盖101即为方便清洁所述装载腔而设置，打开所述顶盖101即可对所述装载腔进行清洁维护。但同时所述装载腔也需要有很好的密封性，因此，在所述腔体100侧壁的顶面上还设置有顶盖密封圈109和供气通道密封圈110，所述顶盖密封圈用于使所述顶盖101更严密的闭合于所述腔体100，所述供气通道密封圈110用于密封位于所述顶盖101和所述腔体100侧壁间的供气通道102，避免通过所述供气通道102内的气体未经过所述气压缓冲装置111直接进入所述腔体100中。所述气压缓冲装置111用以缓冲所述供气通道102内的气体气压，使所述供气通道102内的气体较为平缓的流进所述腔体100内。

上述现有技术的装载腔中，由于供气通道密封圈110的线径小于顶盖密封圈109，在所述顶盖101与所述腔体100闭合后，所述顶盖101经常会不能压紧所述供气通道密封圈110从而造成所述供气通道102漏气，从而会对装载腔中的晶圆产生不良影响。在目前的机台维护中，工程师通常根据密封圈的实际情况，密封圈进行更换，以减少漏气情况的发生，但这不能从根本上解决漏气问题，同时需要消耗人力和材料成本。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种半导体成膜装置装载腔，以解决现有技术的装载腔供气通道容易产生漏气的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种半导体成膜装置的装载腔，包括：腔体、顶盖、供气通道、排气通道和气压缓冲装置，所述腔体侧壁上具有晶圆进入口和晶圆送出口；所述顶盖盖于所述腔体的顶端；所述排气通道由所述腔体内经由所述腔体的侧壁延伸至所述腔体外，还包括过滤器，所述供气通道由所述腔体外，依次通过过滤器、气压缓冲装置，穿过所述顶盖进入所述腔体；所述过滤器用以对所述供气通道内的气体进行过滤清洁。

可选的，还包括气压平衡通道，所述气压平衡通道由所述腔体内经由所述腔体的侧壁延伸至所述腔体外。

可选的，所述气压平衡通道的排气口位于所述腔体的上方位置。

可选的，所述排气通道的排气口位于所述腔体的下方位置。

可选的，所述气压平衡通道上设置有阀门控制其通道的开关。

可选的，所述排气通道上设置有泵。

可选的，所述供气通道上设置有阀门控制其通道的开关。

可选的，在所述腔体侧壁的顶面上还设置有顶盖密封圈，用于使所述顶盖严密的闭合于所述腔体。