[发明专利]一种半导体成膜装置装载腔有效
| 申请号： | 201010123615.5 | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN102194651A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 吴新江;吴海军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 装载 | ||
1.一种半导体成膜装置的装载腔，包括：腔体、顶盖、供气通道、排气通道和气压缓冲装置，所述腔体侧壁上具有晶圆进入口和晶圆送出口；所述顶盖盖于所述腔体的顶端；所述排气通道由所述腔体内经由所述腔体的侧壁延伸至所述腔体外，其特征在于，还包括过滤器，所述供气通道由所述腔体外，依次通过过滤器、气压缓冲装置，穿过所述顶盖进入所述腔体；所述过滤器用以对所述供气通道内的气体进行过滤清洁。
2.如权利要求1所述的半导体成膜装置的装载腔，其特征在于，还包括气压平衡通道，所述气压平衡通道由所述腔体内经由所述腔体的侧壁延伸至所述腔体外。
3.如权利要求2所述的半导体成膜装置的装载腔，其特征在于，所述气压平衡通道的排气口位于所述腔体的上方位置。
4.如权利要求1或3中任一权利要求所述的半导体成膜装置的装载腔，其特征在于，所述排气通道的排气口位于所述腔体的下方位置。
5.如权利要求2所述的半导体成膜装置的装载腔，其特征在于，所述气压平衡通道上设置有阀门控制其通道的开关。
6.如权利要求1或4中任一权利要求所述的半导体成膜装置的装载腔，其特征在于，所述排气通道上设置有泵。
7.如权利要求1所述的半导体成膜装置的装载腔，其特征在于，所述供气通道上设置有阀门控制其通道的开关。
8.如权利要求1所述的半导体成膜装置的装载腔，其特征在于，在所述腔体侧壁的顶面上还设置有顶盖密封圈，用于使所述顶盖严密的闭合于所述腔体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
