[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010123344.3 | 申请日： | 2010-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN102194944A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 黄世晟;凃博闵;吴芃逸 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管组件之制造方法，包含：
提供一基材；
形成一缓冲层于该基板上；
形成一粗化层于该缓冲层上；
形成一磊晶层于该粗化层上；
其特征在于上述步骤皆在一反应炉中完成。
2.根据权利要求项1所述的发光二极管组件之制造方法，其特征在于：形成一氮化镓层介于该缓冲层及粗化层之间。
3.根据权利要求项1所述的发光二极管组件之制造方法，其特征在于：所述粗化层的材料为氮化铝(AlN)。
4.根据权利要求项1所述的发光二极管组件之制造方法，其特征在于：所述磊晶层的折射率大于该粗化层的折射率。
5.根据权利要求项1所述的发光二极管组件之制造方法，其特征在于：所述粗化层形成的温度低于磊晶层形成的温度。
6.一种发光二极管组件之结构，包含：
一基材；
一缓冲层位于该基板上；
一磊晶层位于该粗化层上；其特征在于一粗化层位于该缓冲层上。
7.根据权利要求项6所述的发光二极管组件之结构，其特征在于：一氮化镓层位于该缓冲层及该粗化层之间。
8.根据权利要求项6所述的发光二极管组件之结构，其特征在于：所述粗化层的材料为氮化铝(AlN)。
9.根据权利要求项6所述的发光二极管组件之结构，其特征在于：所述磊晶层的折射率大于该粗化层的折射率。
10.根据权利要求项6所述的发光二极管组件之结构，其特征在于：所述粗化层之不规则表面厚度为0.2-0.8μm。
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